云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 杨少延

杨少延: 作品数：43被引量：56H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：衬底生长温度氮化镓非极性协变更多>>; 发文领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>; 发文期刊：《北京师范大学学报（自然科学版）》《中国稀土学报》《发光学报》《物理学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划广东省科技计划工业攻关项目更多>>

打造氮化镓功率电子的全产业链: 《环球财经》2023年第9期105-105,共1页杨少延王维(整理); 我来自中国科学院半导体研究所,从事第三代半导体的研发。数字化经济的底层技术就是半导体技术,我们现在的数字经济、数字技术主要基于第一代半导体。我们目前在做的第三代半导体,是在第一代半导体基础之上,使我们的数字经济、数字技术...; 关键词：全产业链数字化经济半导体技术功率电子底层技术节能化氮化镓第三代半导体

n-GaN上Au/Zr和Au/Ti金属电极的界面反应和金属间互扩散行为对比研究被引量：1: 《材料导报》2022年第21期120-125,共6页张可欣李庚伟杨少延魏洁; 国家自然科学基金(61774147);南京佑天金属科技有限公司技术开发项目(Y8H1020M00)。; 电极接触是制作半导体器件中非常重要的问题。金属电极与半导体形成的欧姆接触是器件高效率、低功耗服务的保障,直接影响了器件性能的优劣。前人关于欧姆接触的研究主要集中在金属电极体系和处理条件的选择,寻求比接触电阻率最低的方案...; 关键词：N型GAN Au/Zr欧姆接触电极互扩散行为界面反应

温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理被引量：1: 《发光学报》2021年第11期1739-1747,共9页牛慧丹孔苏苏杨少延刘祥林魏鸿源姚威振李辉杰陈庆庆汪连山王占国; 国家重点研发计划(2017YFB0404201);国家自然科学基金(61774147,61874108)资助项目。; 氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制备过程是氮化处理后以700~1100℃的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌。结果表明,生长温度...; 关键词：超宽禁带半导体材料氮化铝氢化物气相外延生长温度表面形貌

衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响被引量：2: 《功能材料》2021年第9期9148-9153,共6页高洁姚威振杨少延魏洁李成明魏鸿源; 国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201);国家自然科学基金资助项目(61774147)。; 采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍尔测量等测试分析手段表征了薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能。结果表明,制备的ZrN薄膜为立方相NaCl...; 关键词：氮化锆衬底温度反应磁控溅射电学性质

磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能被引量：2: 《人工晶体学报》2021年第5期831-837,844,共8页高洁姚威振杨少延魏洁李成明魏鸿源; 国家重点研发计划(2017YFB0404201);国家自然科学基金(61774147)。; 利用直流反应磁控溅射法在Si衬底上沉积了高结晶质量的氮化锆(ZrN)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱椭偏仪(SE)研究了沉积时间对ZrN薄膜结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明:...; 关键词：氮化锆反应磁控溅射单一取向表面形貌柱状生长光学性能

一种垂直递变流速氢化物气相外延(HVPE)反应腔流场分析及大尺寸材料生长被引量：2: 《真空》2021年第2期1-5,共5页李成明苏宁李琳姚威振杨少延; 国家自然科学基金项目(Nos.61774147);国家重点研发计划(No.2017YFB0404201);广东省财政补贴项目(粤财工【2015】639号)。; 以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,是我国重要战略发展方向之一,而氢化物气相外延(HVPE)作为一种重要材料生长技术,是有效制备单晶材料的工艺手段,本文提出了一种分层次递变流速下HVPE流场与温度场,在垂直腔结构条件下,模拟从腔...; 关键词：氢化物气相外延反应腔体氮化镓数值模拟喷管

三层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟被引量：2: 《真空》2019年第1期34-38,共5页李琳李成明杨功寿胡西多杨少延苏宁; 国家重点研发计划(No.2017YFB0404201);国家自然科学基金项目(Nos.61774147;61504128);广东省省级科技项目;东莞市产学研合作项目;东莞市重大科技项目(项目编号:2013B090500004;2014509130207以及2014215130);广东省财政补贴项目(粤财工【2015】639号); 本文对三层热壁水平流金属有机化学气相沉积(MOCVD)真空反应腔的设计以及最终流场分布都进行了理论模拟。在选择优化喷管排布基础上,在衬底托盘、衬底四周底壁,以及衬底所在区域上壁临近区域范围加热,形成局部热壁外延真空反应腔体。此...; 关键词：金属有机化学气相沉积反应腔体热壁喷管数值模拟

基于二维材料的Ⅲ族氮化物外延被引量：5: 《化学学报》2017年第3期271-279,共9页谭晓宇杨少延李辉杰; 国家自然科学基金(Nos.61504128;61504129;61274041和11275228);国家高技术研究发展计划(863计划)项目(Nos.2014AA032609和2015AA016801);国家重点研发计划(No.2016YFB0400601);广东省科技计划项目(No.2014B010119002)资助~~; Ⅲ族氮化物合金因其宽广的可调能隙和优良的光电性能,在照明、电力电子、通讯、能源等领域有巨大优势,促使其材料制备技术不断发展.如何解决Ⅲ族氮化物异质外延过程中晶格及热胀失配对材料质量的影响,是当前的研究重点.近年来,二维材料...; 关键词：氮化镓石墨烯六方氮化硼过渡金属硫族化物

MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响(英文)被引量：1: 《人工晶体学报》2010年第1期34-38,43,共6页王振华杨安丽刘祥林魏鸿源焦春美朱勤生杨少延王占国; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60506002,60776015);the Special Funds for MajorState Basic Research Project (973) of China(No.2006CB604907);the 863 High Technology R &D Program of China(No.2007AA03Z402,2007AA03Z451); 利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600℃。薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量。研究表明:随着生长温度的降低,在X...; 关键词：ZNO 甲醇 MOCVD 生长温度

不同晶面蓝宝石和氧源对ZnO薄膜生长的影响被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期289-292,共4页张攀峰魏鸿源范海波丛光伟杨少延朱勤生刘祥林; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60376013,60506002); 在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了,面蓝宝石的表面能比c面的小,更有利于增原子的迁移,从而实现ZnO的二维生长.发现...; 关键词：ZNO 蓝宝石甲醇 XRD SEM

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