宋旭波

作品数：23被引量：27H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：氧化镓场效应晶体管肖特基二极管电极衬底更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程金属学及工艺更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《无机材料学报》《电子技术应用》《空间电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金陕西省自然科学基金河北省杰出青年科学基金更多>>
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170GHz二倍频器2路功率合成技术研究
《空间电子技术》2024年第4期59-64,共6页徐鹏 徐辉 王国瑾 张立森 梁士雄 宋旭波 顾国栋 郝晓林 冯志红 
科技部研发项目(编号:2021YFB32001)。
文章研究并实现了基于170GHz二倍频器2路的功率合成。采用三维电磁场仿真设计并实现了E面T型功分/功合器。功率分配器采用WR10标准波导,80GHz~95GHz频带内,插入损耗在0.2dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。输出功率合成器采用WR...
关键词：太赫兹 二倍频器 功率合成 
基于GCPW的220GHz砷化镓芯片基波混频电路
《空间电子技术》2024年第4期65-70,共6页顾国栋 王国瑾 朱忠博 郝晓林 张立森 宋旭波 徐鹏 梁士雄 冯志红 
科技部研发项目(编号:2023YFB3609603,2023YFB3609600)。
为了提高太赫兹收发系统的集成度,设计并制备了220GHz基于共面波导输出接口的片上砷化镓基波混频电路。首先,对研制的砷化镓肖特基二极管的I-V和C-V进行测试表征,并提取了相应的肖特基二极管电路参数。其次,分别设计了串联肖特基二极管...
关键词：太赫兹 肖特基二极管 接地共面波导 基波混频 
基于单片集成电路的180 GHz大功率倍频器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第6期486-491,共6页郭艳敏 张立森 顾国栋 宋旭波 郝晓林 
随着工作频率的提升,太赫兹倍频链路对第一级倍频器的输出功率要求越来越高,提升其功率承受能力是解决该问题的主要途径之一。设计并制作出高击穿的氮化镓肖特基势垒二极管,并与砷化镓二极管进行了对比。氮化镓二极管大的电容调制能力...
关键词：氮化镓 肖特基二极管 倍频器 大功率 单片集成电路 
200~220GHz平衡式高效率二倍频器被引量：1
《半导体技术》2022年第10期804-808,共5页马春雷 宋旭波 梁士雄 顾国栋 周幸叶 冯志红 
基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)芯片,研制了工作频率为200~220 GHz的二倍频器。采用抑制奇次谐波的平衡式电路拓扑结构以提高转换效率;采用击穿电压为-9 V的GaAs SBD并结合多阳极结结构芯片以提高输出功率;采用低阻微带线以减小波导短...
关键词：太赫兹 二倍频器 肖特基势垒二极管(SBD) GAAS 转换效率 
氢终端金刚石MOSFET击穿机制的仿真研究被引量：1
《半导体技术》2022年第3期184-191,198,共9页余浩 周闯杰 蔚翠 何泽召 宋旭波 郭建超 冯志红 
国家自然科学基金资助项目(51702296);国家重点研发计划资助项目(2018YFE0125900);国家关键科学技术专项资助项目(2009ZYHW0015);河北省杰出青年科学基金资助项目(F2019516002)。
对氢终端金刚石MOSFET进行物理仿真,仿真了栅介质厚度为100 nm的氧化铝栅介质的金刚石MOSFET,得到器件的最大漏电流密度超过400 mA/mm,阈值电压接近20 V,与实测器件性能接近。引入碰撞电离模型,仿真分析了不同结构器件内部电场的分布情...
关键词：仿真 金刚石 MOSFET 击穿电压 氢终端 
基于片上肖特基二极管的高功率三倍频器设计被引量：5
《红外与毫米波学报》2021年第5期647-654,共8页毋自贤 郭诚 温潇竹 宋旭波 梁士雄 顾国栋 张立森 吕元杰 张安学 冯志红 
陕西省自然科学基础研究计划(2020JQ-076);中国博士后科学基金(2019M663715)。
提出了一种基于片上集成电容工艺和带阻滤波结构的高功率三倍频器设计方法。在倍频器输入端,首先对倍频器二极管的直流偏置馈电部分进行改进,在梁式引线结构基础上结合二氧化硅(SiO_(2))工艺实现了片上集成电容,同时解决了三倍频器的直...
关键词：倍频器 片上集成电容 带阻滤波器 波导匹配网络 
基于平面肖特基二极管的300 GHz平衡式二倍频器被引量：2
《电子技术应用》2019年第7期14-18,18,共5页张立森 梁士雄 杨大宝 徐鹏 宋旭波 吕元杰 冯志红 
设计了肖特基二极管的结构和尺寸,采用点支撑空气桥结构降低器件在高频下的损耗,根据二极管测试结果和实际结构,分别建立了肖特基结的非线性模型和三维电磁场模型。依据此模型,采用平衡式电路设计,将二极管放置在波导内,利用模式正交性...
关键词：二倍频 肖特基二极管 反向串联 平衡式 太赫兹 
190 GHz大功率输出平衡式二倍频器被引量：2
《中国激光》2019年第6期227-230,共4页徐鹏 杨大宝 张立森 梁士雄 宋旭波 顾国栋 吕元杰 冯志红 
基于反向串联型砷化镓平面肖特基容性二极管,采用平衡式二倍频结构,研制出了一种190GHz大功率输出二倍频器。使用三维电磁场与非线性谐波平衡联合的方法进行了仿真,并根据仿真结果完成了倍频器的加工、装配和测试。倍频器在182~196GHz...
关键词：太赫兹 二倍频 肖特基二极管 大功率 
高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制
《半导体技术》2018年第10期740-744,786,共6页田秀伟 马春雷 刘沛 韩婷婷 宋旭波 吕元杰 
国家自然科学基金资助项目(61674130,61306113)
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道厚度为...
关键词：氧化镓(Ga2O3) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 漏源饱和电流密度 离子注入 击穿电压 
基于Al_2O_3介质的Ga_2O_3 MOSFET器件制备研究
《无机材料学报》2018年第9期976-980,共5页吕元杰 宋旭波 何泽召 谭鑫 周幸叶 王元刚 顾国栋 冯志红 
国家自然科学基金(61674130;61604137)~~
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010)Ga_2O_3同质衬底上外延得到n型β-Ga_2O_3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga_2O_3缓冲层和200 nmSi掺杂沟道层。对掺杂浓度为3.0×10^(17)和1.0×10^(18) cm^(–3)的样品...
关键词：氧化镓 金属氧化物半导体场效应晶体管 漏源饱和电流 栅漏电 
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