封晴

作品数：5被引量：10H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：反熔丝场区抗辐射编程抗辐照更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《东南大学学报（自然科学版）》《电子与封装》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划江苏省“333工程”科研项目更多>>
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一种带自刷新功能的三模冗余触发器设计被引量：6
《电子与封装》2017年第7期25-27,共3页曹靓 王文 封晴 
随着体硅CMOS电路工艺尺寸的不断缩小,数字电路在宇宙空间中受到的单粒子效应愈发严重。特别是触发器结构电路,单粒子效应中的单粒子翻转效应会造成触发器内部存储的数据发生错乱,影响电路正常工作。提出了一种带自刷新功能的三模冗余...
关键词：单粒子翻转 抗辐射加固 触发器 三模冗余 
与ONO反熔丝FPGA匹配的高压器件设计
《东南大学学报（自然科学版）》2012年第4期614-617,共4页周云波 于宗光 封晴 胡凯 
江苏省"333工程"科研资助项目(BRA2011115)
描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0μm 2P2M ONO反熔丝工艺生产实现.该工艺中,通过一次离子注入和高温推进实现了深结HVNwell;通过将高压注...
关键词：高压器件 ONO型反熔丝 FPGA 
SRAM静态低功耗设计被引量：2
《电子与封装》2008年第11期16-19,共4页封晴 章慧彬 夏光 
在标准的Fabless CMOS工艺线上,由于没有对静态存储器生产进行过专门的工艺优化,在有大规模SRAM嵌入设计的ASIC与SoC电路中,静态电流较大。文章讨论了静态存储器单元静态漏电模式,采用了国内某标准CMOS工艺线提供的0.25μm SPICE模型,使...
关键词：静态存储器 静态漏电 低功耗 SRAM ISB 
高兼容CMOS工艺嵌入EEPROM技术
《电子与封装》2008年第7期31-33,42,共4页封晴 徐政 钱宏文 
电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究。研究结果表明,我们设计的0.8μm电可擦除只读存储...
关键词：非易失性存储器 电可擦除只读存储器 CMOS 工艺 嵌入EEPROM 
嵌入式Flash Memory Cell技术被引量：2
《电子与封装》2004年第4期33-37,40,共6页封晴 
国家高技术研究发展专项经费资助
本文分析了目前常用的快闪存储器(Flash Memory)存储单元结构,介绍了一种适用于嵌入的单元结构,存储器阵列设计、可靠性设计技术。
关键词：快闪存储器 非易失性存储器 CELL SSI 
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