胡广勇

作品数:18被引量:25H指数:3
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供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文主题:扫描电镜织构电子背散射衍射立方织构数字图像更多>>
发文领域:电子电信一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
发文期刊:《低温物理学报》《稀有金属》《物理测试》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技部专项基金国家高技术研究发展计划更多>>
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APD-10型X射线衍射仪水平测角仪改造
《物理测试》2007年第3期60-62,共3页王超群 胡广勇 纪红 江超华 
文章介绍了在原有测角仪上设计安装了新的步进马达驱动装置和相应的控制接口以及对其进行控制的软件系统,实现了由计算机实时控制的数据采集和数据处理系统,经改造后的测角仪可用于常规X射线联机检测和分析,扩展了设备的功能,提高了分...
关键词:APD-10衍射仪 步进驱动马达 软件 织构 极图 
应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析被引量:1
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期175-178,共4页马通达 屠海令 邵贝羚 刘安生 胡广勇 
国家自然科学基金资助项目(批准号:50502008)
运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延...
关键词:TAD-DCD RLM 应变SI 
电子背散射衍射装置及数据处理系统被引量:1
《中国体视学与图像分析》2005年第4期253-256,共4页孙丽虹 刘安生 邵贝羚 胡广勇 张希顺 杜风贞 
国家科技部条财司资助(No.JG-2000-31)
本文介绍了电子背散射衍射接收装置,该装置的CCD以快速方式接收的灵敏度为5 m lux,积累方式接收的灵敏度为10μlux,,分辨率为512 dpi,扫描卡最高的分辨率为4 096×4 096。并成功地安装在北京有色金属研究总院JSM-840扫描电镜上。此系统...
关键词:电子背散射衍射 数字图像 晶体取向 扫描电镜 数据处理系统 
扫描电镜EBSD装置
《电子显微学报》2005年第4期390-390,共1页孙丽虹 刘安生 邵贝羚 胡广勇 张希顺 
关键词:扫描电镜 分析装置 EBSD 背散射电子衍射 北京有色金属研究总院 X射线衍射 国家科技部 透射电镜 晶体学 
Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨三轴晶X射线衍射被引量:1
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1359-1363,共5页马通达 屠海令 胡广勇 邵贝羚 刘安生 
运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对...
关键词:同步辐射双晶貌相术 高分辨三轴晶X射线衍射 衍射双峰 Si/SiGe/Si-SOI异质结构 
双轴拉伸Bopp薄膜的织构研究被引量:1
《理化检验(物理分册)》2004年第2期61-63,共3页王超群 胡广勇 王宁 
采用双轴拉伸制取α 聚丙烯薄膜即(Bopp膜)。利用极图测试、ODF三维取向分布函数计算和回算极图方法,研究了Bopp晶态膜的择优取向特征。分析结果表明,双轴拉伸Bopp晶态膜具有高度择优取向,主要的织构组分为C轴([001]轴)集中沿拉伸方向(M...
关键词:双轴拉伸 α-聚丙烯薄膜 织构分析 极图测试 取向分布函数 膜面分别 结晶度 
菊池花样自动识别系统被引量:3
《电子显微学报》2003年第6期645-645,共1页张希顺 孙丽虹 刘安生 邵贝羚 胡广勇 吴志斌 
关键词:菊池花样自动识别系统 HOUGH变换 电子背散射衍射花样 带宽 夹角 封闭三角形 菊池图像 直角坐标 内部处理流程 
GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响被引量:1
《Journal of Semiconductors》2003年第9期933-936,共4页黎建明 屠海令 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕 
用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响 .结果表明 :在高温退火条件下 ,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力 ,致使该区域范性形变 ,从而产生高密度的位错 .GaAs晶体中的刃型...
关键词:GAAS 退火 小角晶界 三轴晶模式衍射 
X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比被引量:1
《Journal of Semiconductors》2002年第11期1187-1191,共5页黎建明 屠海令 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕 
采用 X射线三轴晶衍射法 ,根据 As间隙原子对作为过量 As在 Ga As单晶材料中存在的主要形式的模型 ,可以无损、高精度测量半绝缘 Ga As单晶的化学配比 .并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系 ,对于制备高质量 Ga As单晶及其...
关键词:X射线 晶格参数 化学配比 双晶衍射 三轴晶模式衍射 砷化镓 
在织构Ni衬底上用电子束蒸发沉积YSZ阻挡层被引量:1
《低温物理学报》2002年第2期92-95,共4页杨坚 宫声凯 舒勇华 刘慧舟 胡广勇 王晓华 
国家超导研究开发中心 (国家 863项目 );国家重点基础研究专项资助项目~~
用轧制及再结晶方法制备了高度立方织构的金属Ni(镍 )基带 .采用电子束蒸发的方法在几个厘米长的Ni基带表面上生长YSZ(钇稳定二氧化锆 )阻挡层 .X射线衍射分析表明 ,YSZ层具有纯c轴取向和良好的平面内取向及立方织构 .扫描电镜观察表明 ...
关键词:Ni衬底 YSZ阻挡层 电子束蒸发沉积 薄膜生长 钇稳定二氧化锆 立方织构 金属镍衬底 超导材料 
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