唐成伟

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：CMOS工艺非致冷红外焦平面多晶硅PN+更多>>
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横向多晶硅p^＋P^-n^＋结非致冷红外焦平面
《半导体光电》2005年第B03期12-15,共4页陈二柱 唐成伟 江美玲 梁平治 
应用标准CMOS工艺，同时结合体硅微机械加工技术，研制成功横向多晶硅p^+P^-n^+微测辐射热计单元；基于研制成功的微测辐射热计，设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面。采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p^+P^-n^+结热敏响应元和...
关键词：多晶硅p^+P^-n^+结 非致冷红外焦平面 读出电路 CMOS工艺 
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