卢建平

作品数:7被引量:5H指数:1
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供职机构:清华大学更多>>
发文主题:无显影气相光刻曝光量光刻甲胺基刻蚀深度更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《半导体技术》《电力电子技术》《高分子学报》《化工进展》更多>>
所获基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
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无显影气相光刻(DFVP)研究的进展
《高分子通报》2002年第3期1-4,18,共5页洪啸吟 李钟哲 刘丹 吴兵 卢建平 段生权 陈明 王培清 
国家自然科学基金委的资助 (2 0 0 740 2 1 ;5 963 3 1 1 0 ;5 9473 0 3 1等 ) ;北京市自然科学基金委以及其他单位的支持
无显影气相光刻技术是我国在 1980年发明的一种独特的光刻技术 ,具有不需要显影 ,分辨率高等优点。但它的机理并不清楚。本文介绍十多年来在无显影气相光刻机理研究方面的成果。实验证明 ,无显影气相光刻是以光致光刻胶膜内的诱蚀剂浓...
关键词:无显影气相光刻 光刻胶 二氧化硅 氢氟酸 诱蚀剂 诱蚀机理 刻蚀反应 分辨率 
高玻璃化温度化学增幅光致抗蚀剂的制备被引量:5
《感光科学与光化学》1998年第3期245-249,共5页王慧 游凤祥 陈明 李元昌 卢建平 洪啸吟 黄志齐 胡德甫 
国家自然科学基金
本文合成了一种具有高玻璃化温度的苯乙烯和N-(4-羟基苯基)马来酰亚胺的共聚体,并将其应用于紫外负性水型化学增幅抗蚀剂中,并初步确定了该光致抗蚀剂的光刻工艺操作条件,得到了分辨率为1.39μm的光刻图形.
关键词:光致抗蚀剂 光刻 化学增幅 抗蚀剂 合成 
氟化氢与涂有聚合物膜下二氧化硅的反应研究
《高分子学报》1998年第2期219-226,共8页洪啸吟 段生权 卢建平 王培清 
国家自然科学基金
HF与SiO2的反应是一种亲核取代反应,但高温下此反应不能发生.当涂覆在SiO2表面的聚合物膜中含有某些特殊的有机化合物或超强酸时,可以促进该反应的发生,这些化合物被称为诱蚀剂.诱蚀剂分三类:(1)三级胺与HF形成季...
关键词:诱蚀剂 聚合物膜 光刻 氟化氢 二氧化硅 刻蚀 
无显影气相光刻机理研究
《化工进展》1998年第1期36-40,共5页段生权 卢建平 洪啸吟 
国家自然科学基金
无显影气相光刻是我国首先发现的一项干法腐蚀技术。通过对其机理的不断研究发现,添加在光刻胶中的添加剂促进HF气体在高温下离解得到活性氟阴离子是刻蚀反应得以发生的首要条件和关键;曝光后成膜物结构变化对添加在其中的小分子诱蚀...
关键词:无显影 气相光刻机理 诱蚀剂 光剂 干法腐蚀 
具有广阔前景的光化学
《国际学术动态》1997年第7期34-37,共4页卢建平 洪啸吟 
光化学领域包括由可见光和紫外光引起的所有化学反应,这些反应一般都是分子的激发态直接参与进行的。许多生命过程,例如光合作用、甾醇的转化,视觉损伤的恢复,牛皮癣的治疗等。都涉及到光化学反应。许多日常生活现象,例如摄影、显像、...
关键词:光化学 有机光化学 激光光物理 微电子 
无显影气相光刻在大功率晶闸管元件生产中的应用
《电力电子技术》1995年第2期68-70,共3页王培清 卢建平 陈永麒 
国家自然科学基金
由于无显影气相光刻(DFVP)具有分辨率高、针孔密度低、光刻流程短、设备简单、成本低等优点,因此将其应用于晶闸管元件的生产具有非常重要的实际意义.本文在系统地研究DFVP机理的基础上,提出了新的配方,解决了刻蚀厚二氧...
关键词:晶闸管 光刻 氧化层 无显影气相光刻 
光致诱蚀无显影气相光刻(DFVP)作用机理及其应用
《半导体技术》1995年第2期13-15,共3页王培清 卢建平 陈永麒 张斌 洪啸吟 
国家自然科学基金
大功率半导体器件是机电一体化不可缺少的基础元件,光致诱蚀无显影气相DFVP光刻具有分辨率高、针孔密度低、光刻流程短、设备简单、经济上节约等优点。因此将DFVP运用于晶闸管器件的生产具有重要的意义。研究的技术关键是要解...
关键词:光致诱蚀 无显影 气相光刻 二氧化硅层 
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