冯建

作品数：9被引量：7H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术研究被引量：2
《微电子学》2017年第4期581-585,共5页冯建 吴建 吴雪 谭开洲 王斌 杨永晖 
针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条...
关键词：功率器件 抗辐射加固 局部厚场氧化层 N体区 栅氧化层 
老化试验中温度变化问题探讨
《环境技术》2014年第5期13-16,共4页冯建 胡波 邢宗锋 罗俊 
介绍了烘箱老化环境温度受电路功率,老化板摆放位置的变化、烘箱风速变化等因素的影响导致烘箱内温场出现变化,烘箱内温场变化剧烈的会影响产品的正常老化,形成过应力的情况,严重时会造成电路失效。对影响烘箱温度的因素进行了试验监控...
关键词：电路功率 烘箱温场 功率器件 耗散功率 
一种半绝缘键合SOI新型BCD结构
《Journal of Semiconductors》2007年第5期763-767,共5页谭开洲 杨谟华 徐世六 刘玉奎 李肇基 刘勇 冯建 
国家微电子预研资助项目(批准号:41308020413)~~
提出了一种采用半绝缘SOI的新型BCD结构,该结构把高压大电流VDMOS,CMOS和双极器件同时可靠地集成在一起,其特点是集成了垂直导电的VDMOS.这种结构在汽车电子、抗辐射、强电磁脉冲环境等领域有较好的潜在应用.BCD样品芯片垂直导电VDMOS...
关键词：BCD 半绝缘S01 VDMOS 功率集成电路 
一种新型半绝缘键合SOI结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1828-1831,共4页谭开洲 冯建 刘勇 徐世六 杨谟华 李肇基 张正璠 刘玉奎 何开全 
国家微电子预研资助项目(批准号:41308020413)~~
报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si—Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可...
关键词：硅片键合 半绝缘SOI 多晶过渡层 
铁氧体驱动与双路功率MOS单片集成电路研究
《微电子学》2006年第1期19-22,29,共5页石红 谭开洲 蒲大勇 冯建 
介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路。其内建驱动器工作电压9 V,功率MOS管极限电压大于80 V,工作电流3 A。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路,以及过频过压保护等功能,采用键合SOI深槽的CMO...
关键词：铁氧体驱动器 功率MOS管 专用集成电路 D/A转换器 SOI 
SDB/SOI硅材料顶层硅膜均匀性控制研究被引量：2
《微电子学》2005年第6期594-596,共3页冯建 毛儒焱 吴建 王大平 
介绍了SDB/SOI(Silicon D irect Bonging/Silicon On Insulator)硅材料顶层硅膜均匀性的控制方法。顶层硅膜均匀性控制不好,会直接影响到IC或者其他元器件参数的一致性,造成器件成品率低,材料浪费大。因此,在制备SOI材料时,必须严格控...
关键词：硅直接键合 SOI 减薄 抛光 顶层硅膜 均匀性 
适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术被引量：1
《微电子学》2004年第2期215-216,共2页羊庆玲 冯建 
　采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VD MOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。
关键词：VDMOSFET 硅片直接键合 疏水处理 SOI 范德华力 
硅外延用大流量超纯氢气纯化系统的设计技术
《微电子学》2002年第5期389-390,394,共3页陈洪波 冯建 熊化兵 李文 李智囊 
在半导体集成电路制造工艺中 ,超纯氢气是必不可少的重要工艺气体。特别是在硅外延工艺中 ,氢气对工艺质量起着决定性作用。因此 ,对氢气的指标要求比较苛刻 ,其纯度应大于99.9999% ,而且必须是大流量连续供应。文章主要从流体学和传热...
关键词：硅外延 纯化系统 超纯氢气 雷诺准数 努塞尔特准数 
硅-硅键合晶片在减薄过程中产生的应力及影响被引量：1
《微电子学》2002年第5期395-396,400,共3页杨国渝 冯建 吴建 
硅 -硅键合晶片在机械减薄过程中产生的应力使硅片产生弯曲变形 ,这种变形在其后的加工过程中会使图形发生扭曲或位移 ,导致硅片加工中途报废。经过应力消除处理后可以顺利完成加工。
关键词：硅-硅键合 介质隔离 辐射加固 
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