云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王凤华

王凤华: 作品数：1被引量：2H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：锑化镓衬底单晶生长晶体晶片更多>>; 发文领域：电子电信轻工技术与工程金属学及工艺更多>>; 发文期刊：《人工晶体学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金更多>>

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低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备被引量：2: 《人工晶体学报》2017年第5期820-824,共5页杨俊段满龙卢伟刘刚高永亮董志远王俊杨凤云王凤华刘京明谢辉王应利卢超赵有文; 国家自然科学基金(61474104,61504131); 采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm^(-...; 关键词：锑化镓(Ga Sb) 液封直拉法(LEC) 单晶衬底