赵欢

作品数：6被引量：10H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：分子束外延覆盖层量子点微米势垒更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光子学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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室温连续激射1.59μm GaInNAsSb量子阱激光器
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期486-488,共3页赵欢 杜云 倪海桥 张石勇 韩勤 徐应强 牛智川 吴荣汉 
国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划和国家重点基础研究发展规划资助项目
研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.生长量子阱时采用的生长速率、Sb诱导...
关键词：分子束外延 快速热退火 量子阱 
液滴外延自组织GaAs纳米结构
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期141-144,共4页詹锋 黄社松 倪海桥 赵欢 熊永华 周宏余 牛智川 
国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划和国家重大基础研究专项基金资助项目
介绍了利用液滴外延法在晶格匹配体系AlGaAs/GaAs上自组织生长几种GaAs纳米结构.实验证实Ga液滴的形貌随晶化温度和As束流的不同而发生变化,形成一些有趣的GaAs纳米结构,如量子点、量子单环、量子双环、耦合量子双环和中国古币形状等....
关键词：液滴外延 量子点 量子单环 量子双环 
1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器被引量：6
《光子学报》2006年第4期549-551,共3页韩勤 彭红玲 杜云 倪海桥 赵欢 牛智川 吴荣汉 
国家自然科学基金(60137020;60376025);国家973计划(TG2000036603);863计划(2002AA312080)资助项目
利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性·
关键词：探测器 LT-GAAS 谐振腔增强 分布布喇格反射镜 
1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第3期482-488,共7页牛智川 倪海桥 方志丹 龚政 张石勇 吴东海 孙征 赵欢 彭红玲 韩勤 吴荣汉 
国家自然科学基金;国家高技术发展研究计划;国家重点基础研究发展计划资助项目~~
The growth of multi-layer InGaAs/InAs/GaAs self-assembled quantum dots （QDs） by molecular beam epitaxy （MBE） is investigated,and a QD laser diode lasing at 1.33μm in continuous operation mode at room temperature ...
关键词：quantum dot INAS laser diode 
快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1749-1752,共4页苗振华 徐应强 张石勇 吴东海 赵欢 牛智川 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90201026)~~
用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法...
关键词：分子束外延 高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱 快速热退火 室温光致发光 
Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1860-1864,共5页牛智川 韩勤 倪海桥 杨晓红 徐应强 杜云 张石勇 彭红玲 赵欢 吴东海 李树英 贺振宏 任正伟 吴荣汉 
国家自然科学基金(批准号:90201026,60137020);国家高技术研究发展计划;国家重点基础研究专项资助项目~~
Material growth and device fabrication of the first 1.3μm quantum well （QW） edge emitting laser diodes in China are reported. Through the optimization of the molecular beam epitaxy （MBE） growth conditions and the...
关键词：GaAs based materials GalnNAs quantum wells molecular beam epitaxy laser diodes 
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