国政

作品数:2被引量:4H指数:1
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发文主题:原子层沉积前驱体铜薄膜铜互连更多>>
发文领域:一般工业技术理学更多>>
发文期刊:《真空科学与技术学报》更多>>
所获基金:北京市属高等学校高层次人才引进与培养计划北京市教育委员会科技发展计划面上项目北京市本科生科学研究计划项目北京市自然科学基金更多>>
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原子层沉积铜薄膜研究进展被引量:1
《真空科学与技术学报》2016年第8期856-861,共6页郭群 国政 桑利军 王安玲 田旭 杨丽珍 刘忠伟 
北京市自然科学基金项目(4162024);北京市属高等学校高层次人才引进与培养计划项目(CIT&TCD201404130);北京市教育委员会科技计划面上项目(KM201510015002;KM201510015009);2015北京市本科生科学研究计划项目资助(201601002)
微电子领域中的铜互连工艺需要沉积一层连续且保形好的铜籽晶层,随着集成电路中特征尺寸的减小及沟槽深宽比的增加,传统的热沉积工艺难以满足其将来的制作要求。本文介绍了使用新的强还原剂前驱体沉积铜金属工艺的研究进展,重点综述了...
关键词:铜籽晶层 原子层沉积 低温 等离子体 
化学气相沉积/原子层沉积铜前驱体的研究进展被引量:3
《真空科学与技术学报》2015年第10期1282-1290,共9页国政 陈强 王正铎 桑利军 杨丽珍 葛新昱 刘忠伟 
北京市属高等学校高层次人才引进与培养计划项目(CIT&TCD201404130);北京市教育委员会科技计划面上项目(KM201510015002);2014北京市本科生科学研究计划项目资助
随着微电子领域的快速发展,用于集成电路中器件互连的铜薄膜要求具有无缺陷并且高纯度等特征。本文介绍了利用化学气相沉积技术与原子层沉积技术沉积铜薄膜工艺的研究;特别是,综述了铜-卤素、β-二酮、烷氧、脒基、胍基、环戊二烯基等...
关键词:铜薄膜 前驱体 化学气相沉积 原子层沉积 
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