陈海波

作品数：6被引量：25H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：绝缘体上硅抗辐射接触孔NMOS器件低频噪声更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《太赫兹科学与电子信息学报》《电子与封装》更多>>
所获基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
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STI场区加固NMOS器件总剂量效应被引量：10
《太赫兹科学与电子信息学报》2016年第5期805-810,共6页谢儒彬 吴建伟 陈海波 李艳艳 洪根深 
基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术,采用离子注入技术使STI/衬底界面处的P型硅反型阈值提高,从而增强NMOS器件的抗辐射能力。实验表明,加固NMOS器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压无明显漂移,漏电流...
关键词：辐射加固 总剂量效应 浅槽隔离 0.18μm 
探针卡nA级漏电故障判断与分析被引量：1
《电子与封装》2015年第8期13-16 33,33,共5页顾吉 陈海波 
针对器件测试过程中发现的n A级漏电现象进行判断和分析,并提出解决方案。介绍了探针卡n A级漏电故障判断与分析的方法,通过判断分析把故障原因锁定在PCB板上,然后对PCB板进行分析测试,分别从PCB吸潮情况、板材绝缘性能、孔列区域排布...
关键词：探针卡 漏电 PCB板 
部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性被引量：2
《物理学报》2015年第10期394-400,共7页王凯 刘远 陈海波 邓婉玲 恩云飞 张平 
国家自然科学基金(批准号:61204112;61204116);中国博士后科学基金(批准号:2012M521628);SOI研发中心基金(批准号:62401110320)资助的课题~~
针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究.实验结果表明,器件低频噪声主要来源于Si O2-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与释放过程;基于此理论可提取前栅和背栅氧化层界面附近缺陷态...
关键词：绝缘体上硅器件 部分耗尽 低频噪声 缺陷态 
电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响被引量：7
《物理学报》2015年第7期385-390,共6页刘远 陈海波 何玉娟 王信 岳龙 恩云飞 刘默寒 
国家自然科学基金(批准号:61204112;61204116);中国博士后科学基金(批准号:2012M521628);SOI研发中心基金(批准号:62401110320)资助的课题~~
本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响,当辐射总剂量达到1 M rad(Si)(1 rad=10-2Gy)条件下,SOI器件背栅阈值电压从44.72 V减小至12.88 V、...
关键词：绝缘体上硅 部分耗尽 电离辐射 低频噪声 
总剂量辐射对0.5μm部分耗尽SOI CMOS器件的影响被引量：2
《电子与封装》2015年第4期41-45,共5页谢儒彬 吴建伟 洪根深 罗静 陈海波 
介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移,泄漏电流和32位DSP电路静态电流随总剂量辐射从0增加到500 krad(Si)的变化来表现该工艺技术的抗电离总剂量辐射能力。对于H型(无场...
关键词：注氧隔离 绝缘体上硅 辐射加固 总剂量 
总剂量加固对SOINMOS器件抗辐射特性的影响被引量：4
《电子与封装》2014年第12期33-36,共4页陈海波 吴建伟 李艳艳 谢儒彬 朱少立 顾祥 
采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响。加固在埋氧层中引入电子陷阱,辐射前在正负背栅压扫描时,电子陷阱可以释放和俘获电子,导致背栅阈值...
关键词：离子注入 SOI NMOSFET 总剂量辐射 
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