李彬

作品数：2被引量：6H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：雪崩光电探测器平面型内部电场波导INGAAS/INP更多>>
发文领域：电子电信理学文化科学更多>>
发文期刊：《激光与光电子学进展》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成被引量：5
《激光与光电子学进展》2014年第11期18-27,共10页崔荣 杨晓红 吕倩倩 尹冬冬 尹伟红 李彬 韩勤 
国家973计划(2012CB933503);国家863计划(2012AA012202;2013AA013401);国家自然科学基金(61274069;61176053)
成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III^V族半导体材料。综述了近期III^V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP...
关键词：探测器 InGaAs/InP光电探测器 SOI(silicon-on-insulator)波导 键合技术 倏逝波耦合 
平面型APD抑制边缘击穿的方法研究被引量：1
《半导体光电》2012年第1期7-11,33,共6页杨怀伟 韩勤 杨晓红 李彬 王秀平 王杰 刘少卿 
国家"863"计划项目(2009AA03Z404);国家自然科学基金面上项目(60876039;61176053)
雪崩光电二极管(APD)作为一种具有内部增益的光电探测器,被广泛地应用于光纤通信领域,其中平面型APD具有暗电流低、可靠性高等优点而被大量研究。但是平面型APD边缘处由于高电场易被提前击穿,影响器件性能。文章对抑制平面型APD边缘击...
关键词：雪崩光电二极管 边缘击穿 保护环 参数优化 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部