丁力

作品数：6被引量：2H指数：1
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供职机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院更多>>
发文主题：抗老化电路PBTI静态随机存储器晶体管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《合肥工业大学学报（自然科学版）》《微电子学》《东南大学学报（自然科学版）》《浙江大学学报（工学版）》更多>>
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一种降低电路泄漏功耗的多阈值电压方法被引量：1
《微电子学》2018年第6期839-845,共7页张姚 易茂祥 王可可 吴清焐 丁力 梁华国 
国家自然科学基金面上项目(61371025;61674048)
目前,多阈值电压方法是缓解电路泄漏功耗的有效手段之一。但是,该方法会加重负偏置温度不稳定性(NBTI)效应,导致老化效应加剧,引起时序违规。通过找到电路的潜在关键路径集合,运用协同优化算法,将关键路径集合上的门替换为低阈值电压类...
关键词：负偏置温度不稳定性 泄漏功耗 多阈值电压 
针对抗老化门替换技术的关键门识别算法
《东南大学学报（自然科学版）》2018年第3期411-416,共6页易茂祥 吴清焐 袁诗琪 张姚 丁力 梁华国 
国家自然科学基金资助项目(61371025;61574052;61674048)
为解决现有门替换技术应用中存在的时延仿真不精确和关键门选取冗余问题,对时序分析方法进行改进,通过引入电路内部节点信息,准确预测电路NBTI老化.然后,提出了一种门替换技术应用下的关键门识别算法,定义了表征门电路抗NBTI老化能力的...
关键词：负偏置温度不稳定性 门替换技术 时序分析 电路老化 关键门 
基于输入向量控制和传输门插入的电路NBTI老化缓解
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2018年第1期55-59,75,共6页胡林聪 易茂祥 丁力 朱炯 刘小红 梁华国 
国家自然科学基金资助项目(61371025;61474036;61574052)
针对现有方案通过输入向量控制(input vector control,IVC)结合门替换(gate replacement,GR)技术缓解负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)引起的电路老化,存在GR应用可能破坏IVC抗老化效果的问题,文章提出...
关键词：负偏置温度不稳定性(NBTI) 老化 输入向量控制(IVC) 传输门(TG)插入 回溯 
采用双阈值配置的抗老化N型多米诺或门
《微电子学》2017年第4期499-504,共6页易茂祥 丁力 张林 李扬 黄正峰 
国家自然科学基金资助项目(61371025;61574052);南通市应用基础研究科技计划资助项目(GY12015037)
N型多米诺或门是高性能集成电路常用的动态单元,负偏置温度不稳定性(NBTI)引起的PMOS管老化问题已成为降低多米诺或门电路可靠性的主要因素之一。仿真分析表明,N型多米诺或门中各种PMOS管受NBTI的影响有明显差别。针对这种差异,提出一...
关键词：负偏置温度不稳定性 多米诺或门 抗老化 双阈值配置 时序余量 
静态随机存储器双向互锁存储单元的抗老化设计被引量：1
《浙江大学学报（工学版）》2017年第7期1453-1461,共9页刘士兴 范对鹏 程龙 王世超 丁力 易茂祥 
国家自然科学基金面上项目(61371025;61574052;61274036)
为了延长抗辐照静态随机存储器双向互锁存储单元(DICE)电路的使用时限,得到偏置温度不稳定性效应(BTI)老化效应对DICE单元性能的具体影响,提出抗老化设计方案.通过SPICE仿真实验,分析DICE单元的老化特性,发现因老化加重的读干扰和半选...
关键词：双向互锁存储单元(DICE) 偏置温度不稳定性 控制晶体管 读干扰 半选择干扰 抗老化 
基于电荷俘获-释放机制的电路PBTI老化建模
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2017年第4期572-576,共5页李扬 易茂祥 缪永 邵川 丁力 
国家自然科学基金资助项目(61371025;61274036;61300212;61306049);南通市应用基础研究科技计划资助项目(GY12015037)
针对传统反应扩散(reaction-diffusion,R-D)机制不适合纳米互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)集成电路正偏置温度不稳定性(positive bias temperature instability,PBTI)老化效应分析的问题,文章采...
关键词：正偏置温度不稳定性(PBTI) 电荷俘获-释放 老化 时延退化预测模型 
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