吴治军

作品数：11被引量：28H指数：4
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一种应用于CMOS图像传感器数字双采样ADC的PGA电路被引量：3
《半导体光电》2020年第2期200-204,共5页吴治军 李毅强 彭松 李梦萄 
提出了一种应用于CMOS图像传感器数字双采样模数转换器(ADC)的可编程增益放大器(PGA)电路。通过增加失调采样电容,采集PGA运放和电容失配引入的失调电压,在PGA复位阶段和放大阶段进行相关双采样和放大处理,通过数字双采样ADC将两个阶段...
关键词：CMOS图像传感器 数字双采样ADC PGA电路 
一种单片集成式光-频率转换芯片
《半导体光电》2019年第3期318-320,共3页李毅强 吴治军 翟江皞 祝晓笑 王世腾 
介绍了一种单片集成式光-频率转换芯片,给出了流片芯片的测试结果。芯片内部光电二极管产生随光强变化的光生电流,积分电容将其转换为电压信号,当电压达到比较器阈值时,比较器翻转,振荡电路振荡,光强被转变为频率信号。采用0.6μm 2P3M...
关键词：光频转换 光电二极管 CTIA 比较器 振荡器 
用于高速CMOS图像传感器的锁相环模块被引量：5
《半导体光电》2018年第4期497-501,共5页刘戈扬 李明 祝晓笑 吴治军 张靖 
随着CMOS图像传感器(CIS)向片上系统化、高度集成化方向发展,片内锁相环(PLL)成为系统不可或缺的片上时钟模块,而高速高集成的CIS对PLL的高频时钟输出能力提出了新的挑战。介绍了一种基于0.13μm CIS工艺设计的电荷泵PLL模块,该模块工作...
关键词：高速CMOS图像传感器 锁相环 压控振荡器自偏置 压控振荡器自校准 
一种应用于安防监控的CMOS图像传感器的自动曝光算法研究被引量：5
《半导体光电》2017年第2期283-287,共5页刘业琦 吴治军 刘昌举 祝晓笑 刘戈扬 
针对传统自动曝光算法难以兼顾实时性和平滑性的缺点,设计了一种结合直接计算法和可变步长调节法的综合性算法,研究了算法原理,给出了算法流程。该算法可以通过改变步长参数,自由设定将图像亮度调节到目标亮度的时间,使其能够适用于各...
关键词：自动曝光 CMOS图像传感器 安防监控 
基于CMOS图像传感器混合噪声的自适应滤波算法被引量：5
《半导体光电》2016年第4期568-572,共5页李明 李梦萄 邓光平 刘昌举 吴治军 
针对中值滤波导致部分图像细节损失和均值滤波出现模糊现象,设计了一种适用于椒盐和高斯混合噪声的自适应滤波算法。该算法先用最小邻域的均值和阈值判断噪声类型,然后使用加权中值滤波处理椒盐噪声,再利用拉普拉斯算子和相应阈值判断...
关键词：降噪滤波 混合噪声 图像处理 最小邻域空间 
一种用于暗光环境下的CMOS图像传感器的非线性模数转换器
《半导体光电》2015年第4期638-641,共4页张靖 卜晖 刘昌举 田家齐 吴治军 
从优化算法、硬件结构和模拟结果入手,通过对CMOS图像传感器暗光环境下模数转换电路的优化设计,提出了一种暗光环境下性能提升的大动态范围非线性模数转换器的设计。在模拟电路模块完成了暗光优化图像处理算法,使暗光环境下光电转换数...
关键词：暗光优化 非线性模数转换器 大动态范围 CMOS图像传感器 
一种用于CMOS图像传感器的锁相环设计被引量：5
《半导体光电》2015年第2期322-326,共5页阳怡伟 张靖 吴治军 刘昌举 熊平 
设计了一种用于CMOS图像传感器时钟产生的电荷泵锁相环（CPPLL）电路。基于0.18μm CMOS工艺,系统采用常规鉴频鉴相器、电流型电荷泵、二阶无源阻抗型低通滤波器、差分环形压控振荡器以及真单相时钟结构分频器与CMOS图像传感器片内集成...
关键词：CMOS图像传感器 锁相环 频率综合器 片内集成 
一种6T像素全局曝光CMOS图像传感器被引量：2
《半导体光电》2014年第5期764-767,共4页吴治军 李毅强 阳怡伟 
提出了一种基于6T像素结构的全局曝光CMOS图像传感器。通过采用PPD结构的6T像素、高复位电平和低阈值器件,提高了动态范围,并优化设计了像素单元的版图,使之获得较高的填充系数;模拟读出电路部分,通过采用双采样、增益放大和减小列级固...
关键词：6T像素 CMOS图像传感器 FPN PGA 
一种弱光成像用AlGaN APD阵列的读出电路设计被引量：4
《半导体光电》2013年第4期569-572,575,共5页邓光平 刘昌举 祝晓笑 熊平 吴治军 
设计了64×64 AlGaN雪崩光电二极管(APD)阵列的读出电路,该读出电路采用了具有稳定探测器偏压能力的电容跨阻抗放大器(CTIA)结构。利用APD的等效电路模型,推导了电荷-电压转换因子(CVF)与积分电容、放大器增益的关系。为增加最大探测光...
关键词：读出电路 雪崩光电二极管 CTIA 电荷-电压转换因子 
基于4T结构的高灵敏度CMOS图像传感器设计
《半导体光电》2013年第3期366-369,共4页刘昌举 吴治军 祝晓笑 熊平 吕玉冰 
中国电子科技集团公司CCD研究开发中心基金项目(6240109025)
基于0.35μm工艺,设计了应用于低光照环境下的低噪声、高灵敏度CMOS图像传感器。该图像传感器采用PPD 4T像素结构,像素阵列512×512,包含列级运放、水平移位寄存器、逻辑控制单元、单斜率模数转换器和偏置电路等模块。通过采用低噪声PPD...
关键词：CMOS图像传感器 PPD4T像元 单斜率模数转换器 低噪声 
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