杨晓坤

作品数：1被引量：1H指数：1
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发文主题：覆盖层非晶硅多晶硅薄膜晶化电子束蒸发更多>>
发文领域：电气工程更多>>
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Ge覆盖层诱导晶化多晶Si薄膜的晶化特性研究被引量：1
《人工晶体学报》2015年第2期420-424,共5页邓书康 董国俊 杨晓坤 刘虹霞 侯德东 李明 
国家国际科技合作专项项目(2011DFA62380);云南省自然科学基础研究项目(2010DC053)
采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5 h。采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究。结果表明,Ge覆盖层具有诱导非...
关键词：多晶硅薄膜 电子束蒸发 非晶硅 Ge诱导晶化 
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