刘海晓

作品数：4被引量：18H指数：4
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供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：化学机械抛光CMP去除速率速率化学机械平坦化更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《稀有金属材料与工程》更多>>
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铜互连线低压无磨料化学机械平坦化技术被引量：6
《稀有金属材料与工程》2012年第4期717-721,共5页刘效岩 刘玉岭 梁艳 胡轶 刘海晓 李晖 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
在低压无磨料条件下,利用碱性FA/O型螯合剂具有极强螯合能力的特性,对铜互连线进行化学机械平坦化,获得了高抛光速率和表面一致性。提出了铜表面低压无磨料抛光技术的平坦化原理,在分析了抛光液化学组分与铜化学反应机理的基础上,对抛...
关键词：铜互连线 无磨料 低压 FA/O型螯合剂 化学机械平坦化 
ULSI硅衬底CMP速率稳定性的研究被引量：4
《半导体技术》2010年第12期1167-1169,1182,共4页赵巧云 周建伟 刘玉岭 刘效岩 刘海晓 
国家自然科学基金联合基金(10676008);国家科技重大专项课题(2009ZX02308)
介绍了ULSI硅衬底的抛光工艺,并对其抛光机理进行了理论分析。通过对抛光液循环使用过程中CMP速率稳定性及其影响因素进行深入系统的分析,得出pH值、抛光温度和黏度等因素的变化是影响抛光速率稳定性的主要原因。并提出改进方案:控制好...
关键词：化学机械抛光 硅衬底 去除速率 循环抛光 稳定性 
Cu CMP抛光液对速率的影响分析及优化被引量：4
《半导体技术》2010年第11期1071-1074,共4页李晖 刘玉岭 刘效岩 刘海晓 胡轶 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
在超大规模集成电路多层Cu布线CMP工艺中,抛光液是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要因素。采用Plackett-Burman(PB)筛选实验对抛光液成分(磨料、氧化剂、活性剂、螯合剂)进行显著性因素分析,得出磨料、FA/O螯合剂Ⅱ型和氧...
关键词：抛光液 化学机械抛光 PB实验 响应曲面法 去除速率 
低压力Cu布线CMP速率的研究被引量：4
《半导体技术》2010年第8期761-763,767,共4页刘海晓 刘玉岭 刘效岩 李晖 王辰伟 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势。由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度必须降低,这对传统化学机械抛光(CMP)工艺提出了挑战。通过对CMP过程的机理分析,提出了影响低机械强度下C...
关键词：化学机械抛光 铜布线 低机械强度 抛光速率 
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