李洪涛

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：INGAAS/INPPIN光电探测器暗电流金属有机化学气相沉积响应度更多>>
发文领域：核科学技术更多>>
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一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器被引量：3
《微纳电子技术》2014年第4期214-218,248,共6页车相辉 张宇 宁吉丰 李洪涛 王晶 位永平 张豫黔 赵润 陈宏泰 
分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测器,得到了高质量的...
关键词：INGAAS 光电探测器 暗电流 响应度 光纤通信 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 
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