敖金平

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：德岛大学更多>>
发文主题：GANMOSFET氮化镓截止频率肖特基二极管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电力电子技术》《中国科技论文》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
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高性能GaN微波整流肖特基二极管的设计和制作被引量：2
《半导体技术》2021年第4期295-299,336,共6页钟易润 李杨 谭庶欣 蒲涛飞 罗向东 敖金平 
国家自然科学基金面上项目(61874007,62074087)。
通过对准垂直型GaN微波整流肖特基二极管结构的研究,建立了二极管势垒层和传输层模型,根据模型提出了图形化和多空气桥结构来应对现有GaN生长技术不成熟带来额外寄生电阻的问题,并设计制作出联U型器件。为了验证结构的优势,同时制作了...
关键词：GAN 截止频率 微波整流 图形化结构 肖特基二极管 
增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
《中国科技论文》2015年第4期420-423,共4页周桂林 张金城 沈震 杨帆 姚尧 钟健 郑越 张佰君 敖金平 刘扬 
国家自然科学基金资助项目(51177175,61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200,2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项资助项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032606)
采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷...
关键词：氮化镓 二氧化硅 场效应管 等离子增强化学气相沉积 陷阱 正向偏压 
GaN MOSFET的设计制作及其表征
《电力电子技术》2012年第12期81-83,共3页王青鹏 江滢 敖金平 王德君 
中央高校基本科研业务费专项资金资助(DUT11ZD114)~~
探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现的一些现象进行了分析。实验结果表明,采用掺杂A1GaN异...
关键词：金属氧化层半导体场效应晶体管 结构 表征 
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