陈珊珊

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供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
发文主题：LIGBTLDMOS阳极短路SOI负阻效应更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT
《微电子学》2017年第5期714-717,共4页周骏 成建兵 袁晴雯 陈珊珊 吴宇芳 王勃 
国家自然科学基金资助项目(61274080)
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LT...
关键词：阳极短路横向绝缘栅双极晶体管 击穿电压 反型层 负微分电阻效应 
阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS的研究
《微电子学》2017年第4期576-580,共5页袁晴雯 成建兵 周骏 陈珊珊 吴宇芳 王勃 
国家自然科学基金资助项目(61274080)
提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到漏端逐渐变低的变掺杂结构。这种变掺杂P柱区的引入对衬底辅助耗尽效应所带来的电荷不平衡问题进行了调制...
关键词：类超结 阶梯掺杂 击穿电压 导通电阻 
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