张立森

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
发文主题：太赫兹共振隧穿二极管MOCVD生长高电流密度峰谷电流比更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《电子技术应用》更多>>
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基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管被引量：2
《电子技术应用》2019年第8期32-33,39,共3页车相辉 梁士雄 张立森 顾国栋 郝文嘉 杨大宝 陈宏泰 冯志红 
为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温...
关键词：共振隧穿二极管 峰值电流密度 峰谷电流比 
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