王伟

作品数：5被引量：7H指数：1
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供职机构：东南大学生物科学与医学工程学院生物电子学国家重点实验室更多>>
发文主题：量子模型栅电流MONTECARLO模拟MONTE_CARLO模拟分子自组装技术更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《微电子学》《物理学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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纳米级MOSFET隧穿栅电流量子模型被引量：1
《微电子学》2006年第5期622-625,629,共5页王伟 孙建平 顾宁 
国家自然科学基金资助项目(60371037;20573019)
运用一种全量子模型,研究高k栅介质纳米MOSFET(场效应管)栅电流,特别适用于各种材料高k栅介质和高k叠栅介质纳米MOSFET。使用该方法,研究了高k栅介质中氮含量等元素对栅极电流的影响,并对模拟结果进行了分析比较。结果显示,为了最大限...
关键词：MOSFET 高k介质 栅电流 量子模型 
基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流模型
《固体电子学研究与进展》2006年第4期436-439,444,共5页王伟 孙建平 顾宁 
运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流,该方法特别适用于高k栅介质纳米MOS器件,还能用于多层高k栅介质纳米MOS器件。使用该方法研究了基于氧化铪高k介质氮含量等元素对栅极电流的影响。结果显示,为最大限度减少...
关键词：高k 栅电流 量子模型 
Modeling of Gate Tunneling Current for Nanoscale MOSFETs with High-k Gate Stacks
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1170-1176,共7页王伟 孙建平 顾宁 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60371037,20573019)~~
A quantum model based on solutions to the Schrodinger-Poisson equations is developed to investigate the device behavior related togate tunneling current for nanoscale MOSFETs with high-k gate stacks. This model can mo...
关键词：high- k gate current quantum model 
随机背景极化电荷对单电子电路影响的分析
《固体电子学研究与进展》2003年第1期14-17,共4页王伟 张海黔 顾宁 
国家自然科学基金重大项目 (69890 2 2 0 );教育部优秀青年教师科研教学奖励计划 (1999年 )
根据单电子现象的半经典理论 ,采用 Monte Carlo方法 ,对三种 SED电路进行模拟 ,结果发现 ,多岛单电子电路具有较强的抑制背景电荷极化效应的能力。
关键词：单电子 随机背景极化电荷 MONTE CARLO模拟 集成电路 电荷极化效应 
用分子自组装技术制备的单电子器件的Monte Carlo模拟被引量：6
《物理学报》2002年第1期63-67,共5页王伟 黄岚 张宇 李昌敏 张海黔 顾宁 沈浩瀛 陈堂生 郝丽萍 彭力 赵丽新 
自然科学基金重大项目 (批准号 :69890 2 2 0 );教育部优秀青年科研教学奖励计划 ( 1999年 )资助的课题~~
用分子自组装技术制备出纳米金单电子器件 ,并测量了其伏安特性 ,根据单电子系统的半经典理论 ,用MonteCarlo法对其结果进行了模拟 .结果表明 ,模拟出的伏安曲线与实测的伏安曲线有较好的一致性 ,反映了模拟方法用于单电子器件研究的合...
关键词：单电子器件 MONTECARLO模拟 分子自组装 制备 纳米结构器件 
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