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检索条件:"作者=YAN Zheng-Xin "
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SiC单层内Co空间选位对自旋组态的调控
《原子与分子物理学报》2022年第6期41-49,共9页陈莉平 炎正馨 王朝棋 王乙先 
国家自然科学基金(11904282)。
基于第一性原理的密度泛函理论,对SiC单层不同位置掺杂Co进行了能带结构、电子态密度、净自旋密度和自旋纹理等计算,结果表明不同位置的掺杂引起不同特征的自旋积累及单层的电子结构特性.由于Co的不同选位掺杂而产生一些新奇现象,如扭曲...
关键词:碳化硅单层 选位掺杂 态密度 自旋纹理 
脉间波形幅相联合设计抗欺骗干扰方法被引量:4
《电子科技大学学报》2021年第4期481-487,共7页葛萌萌 余显祥 严正欣 方学立 崔国龙 孔令讲 
国家自然科学基金(61771109,61871080,61701088,U19B2017);111计划(B17008);中国博士后科学基金(2020M680147,2021T140096)。
欺骗干扰作为一种典型的有源干扰,在距离维或多普勒维上产生虚假目标,使雷达发生虚警,严重影响雷达正常工作。针对速度欺骗干扰,该文提出了一种基于脉间波形幅相联合设计的抗速度欺骗干扰方法。首先,根据速度欺骗干扰下的雷达回波模型,...
关键词:干扰抑制 PAR约束 速度欺骗干扰 脉间波形设计 
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