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低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究被引量：2
《微纳电子技术》2007年第7期216-218,共3页刘鹏 李伟 叶双莉 任天令 刘理天 
在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯...
关键词：巨磁电阻传感器 自旋阀 矫顽力 退火 单畴模型 
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