云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 检索结果

检索结果分析

检索条件："关键词=定量设计模型 "

共条记录，以下是1-1

全选清除导出

视图：

排序：

显示条数：

基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路被引量：2: 《中国电机工程学报》2023年第18期7240-7253,共14页韩绪冬孙鹏邹铭锐王宇雷牛富丽曾正; 国家自然科学基金项目(52177169);重庆市基础研究与前沿探索项目(cstc2022ycjh-bgzxm0155);重庆市研究生科研创新项目(CYS22023)。; 在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和...; 关键词：碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管锆钛酸铅压电陶瓷缓冲吸收电路定量设计模型温度特性

全选清除导出

共1页<1>