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掺杂TiO_2的ZnO压敏电阻正电子寿命谱研究被引量：2
《材料科学与工程学报》2006年第6期904-907,共4页王亮 樊东辉 林枞 徐政 孙丹峰 
利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响。实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小。
关键词：ZNO压敏电阻 正电子寿命谱 简单捕获态模型 
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