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检索条件："关键词=通用模拟电路仿真器模型 "
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包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型被引量：4
《中国电机工程学报》2019年第19期5604-5612,共9页周郁明 蒋保国 刘航志 陈兆权 王兵 
国家自然科学基金项目(11575003)~~
建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三...
关键词：通用模拟电路仿真器模型 碳化硅金属–氧化物–半导体场效应晶体管 界面电荷 迁移率 泄漏电流 失效 
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