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检索条件："关键词=零偏压下微分电阻与面积乘积 "

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气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)被引量：4: 《红外与毫米波学报》2006年第4期241-245,共5页郝国强张永刚顾溢李爱珍朱诚; National'973'Project(G20000683),National'863'Project(2002AA313040); 从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;...; 关键词：光电子学光电探测器暗电流分析温度特性零偏压下微分电阻与面积乘积

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