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应变量子阱能带偏置的分析与计算被引量：4
《激光与光电子学进展》2013年第5期168-175,共8页华玲玲 杨阳 
中央高校基本科研业务费专项资金(2011B020);华北科技学院教育科学研究基金资助课题
利用Model-solid及Harrison两种模型计算不同势垒材料的InGaAs量子阱的能带偏置比,选择出适合于计算InGaAs量子阱能带偏置比的模型是Model-solid模型。讨论了引入应变、量子阱材料组分、势垒材料组分和禁带宽度对能带偏置的影响。结果表...
关键词：激光器 应变量子阱 能带偏置 Model—solid模型 Harrison模型 
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