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检索条件："关键词=N^＊-Sc^＊相变 "
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电场对N^＊-Sc^＊相变序铁电液晶器件层排列的影响
《半导体光电》2008年第6期916-918,共3页乌日娜 岱钦 姚丽双 彭增辉 宣丽 
国家自然科学基金项目(50473040,60578035);吉林省教育厅基金项目(JYT200601)
N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度,并且自发极化值小、视角宽、响应时间为毫秒量级,适合TFT-LCD。控制分子层排列是获得良好器件性能的关键。深入分析了电场对分子层排列的影响,提出了分子层排列模型,为...
关键词：铁电液晶 N^＊-Sc^＊相变 层排列 
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