单层陶瓷电容器基片研磨工艺研究与应用  

作　　者：杨国兴 焦圣智 刘云志 孙飞 吴继伟 

机构地区：[1]大连达利凯普科技有限公司,辽宁大连116000

出　　处：《中国新技术新产品》2020年第15期25-28,共4页New Technology & New Products of China

摘　　要：单层陶瓷电容器的基片决定了产品外观、结合力、容值及其一致性,研磨是为了保证基片表面状态均匀一致,去除坑洞、凸起、变形等缺陷,并保证基片厚度的一致性,该文对4种研磨工艺进行原理分析,并确认实际加工效果,掌握不同研磨工艺的优缺点及加工效果,从而更好地进行应用。

关 键 词：双面研磨 单面研磨 减薄 抛光 

分 类 号：TM534.1[电气工程—电器]