基于交叉耦合单元的三节点翻转自恢复锁存器  

作　　者：徐辉[1] 朱烁 周静 

机构地区：[1]安徽理工大学计算机科学与工程学院,安徽淮南232001

出　　处：《绥化学院学报》2023年第3期142-146,共5页Journal of Suihua University

基　　金：国家自然科学基金面上项目“考虑波动的单粒子双点翻转加固单元设计关键技术研究”(61874156);国家自然科学基金面上项目“针对数字集成电路中软错误与老化的协同防护”(61404001)

摘　　要：在纳米CMOS技术中,因恶劣辐射环境引起的三节点翻转(TNU)在存储单元例如锁存器中变得越来越敏感。为了缓解软错误对集成电路的影响,提出了一种新型低开销三节点翻转自恢复辐射加固锁存器设计。该锁存器主要由12个交叉耦合单元反馈互锁组成,形成十字结构。利用交叉耦合单元间的数据反馈,内部节点的有序组合,实现了TNU自恢复。HSPICE仿真验证了该锁存器的可靠性,与最新的TNU自恢复的锁存器相比,该锁存器的功耗、延迟、面积和三者乘积分别降低了5%、72.52%、42.81%以及85.1%,且对工艺、电压和温度波动都较稳定。

关 键 词：集成电路 辐射加固 软错误 三节点翻转 自恢复 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]