软错误

作品数：188被引量：288H指数：8
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一种基于节点冗余技术的低功耗容忍DNU锁存器设计
《中国集成电路》2025年第3期50-54,共5页施峰 张瑾 
随着集成电路特征尺寸不断缩减,软错误逐渐成为影响集成电路可靠性的主要威胁因素。针对这种情况,本文提出了一种基于节点冗余技术的低功耗容忍DNU锁存器设计(DNUTL)。该锁存器使用由四对反相器构成的存储单元保证数据稳定锁存,另外采...
关键词：软错误 节点冗余 单粒子翻转 多节点翻转 
面向软错误的程序指令脆弱性分析
《信息与电脑》2024年第22期101-103,共3页李雨哲 裴增民 张鑫 陈艾葭 杨娜 
天津市大学生创新创业训练项目(项目编号:JDS24052、202410069109)。
静默数据错误(Silent Data Corruption,SDC)是特别隐蔽且后果严重的软错误类型。为了有效提高防护效率,识别程序指令中易受SDC影响的脆弱点至关重要。研究程序指令之间的SDC脆弱性关联,可以减少识别脆弱性的成本。文章基于程序结构来探...
关键词：软错误 SDC脆弱性 故障注入 
面向脉动阵列神经网络加速器的软错误近似容错设计
《吉林大学学报（工学版）》2024年第6期1746-1755,共10页魏晓辉 王晨洋 吴旗 郑新阳 于洪梅 岳恒山 
国家自然科学基金项目(62272190,U19A2061)。
本文根据神经网络本身的错误弹性和层内过滤器相似性提出了一种近似容错设计,把过滤器划分成不同校验组进行不精确校验,保证严重错误被检出并恢复。通过优化过滤器-计算单元映射使校验流程与脉动阵列数据流契合,相较于传统双模冗余,本...
关键词：计算机系统结构 卷积神经网络 脉动阵列 软错误 近似容错 
面向投票类AI分类器的零冗余存储器容错设计
《集成电路与嵌入式系统》2024年第6期1-8,共8页柳姗姗 金辉 刘思佳 王天琦 周彬 马瑶 王碧 常亮 周军 
国家自然科学基金(12075069,61771167,11775061,11805045);四川省基金重点项目(2019YFSY0028);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室项目(SKLIPR1912,SKPLIPR2015)。
投票类分类器广泛应用于多种人工智能(Artificial Intelligence,AI)场景,在其电路系统中,用于存储已知样本信息的存储器易受到辐射、物理特性变化等多种效应影响,引发软错误,继而可能导致分类失败。因此,在高安全性领域应用的AI分类器,...
关键词：存储器 软错误 人工智能 分类器 错误纠正码 k邻近算法 
面向利润优化的软实时云服务调度与多服务器系统配置方法研究被引量：1
《计算机科学》2024年第S01期842-851,共10页王添 沈伟 张功萱 徐林丽 王震 郁云 
国家自然科学基金(62272232);教育部产学研创新基金(2022IT224);江苏高校哲学社会科学研究项目(2023SJYB1851);连云港市基础研究计划基金(JCYJ2328);江苏财会职业学院科研启动项目(2023GC06);江苏财会职业学院基础科研项目(2023XJ19)。
在云计算中,由于多核技术的不断革新,近年来有许多工作研究了基于多核处理器的多服务器系统。云服务提供商通过建立多服务器系统给用户提供云服务并优化云服务利润是目前云计算领域的一个热点问题,对这些问题的研究推动着云计算技术的...
关键词：云计算 多服务器系统配置 云服务请求调度 云服务利润最大化 软错误可靠性 
面向商业航天卫星成本效益的三模冗余软错误防护技术:近似计算的实践被引量：2
《电子与信息学报》2024年第5期1604-1612,共9页李炎 胡岳鸣 曾晓洋 
国家自然科学基金(62204045);上海市浦江人才计划(22PJD005)。
三模冗余(TMR)作为如今集成电路可靠性领域中最为常用且有效的软错误加固技术,在满足高容错要求之时,不可避免地牺牲了庞大的硬件损耗。为实现面积、功耗等硬件性能和容错电路加固能力的折中考虑,适应低成本高可靠性加固的时代需求,针...
关键词：容软错误加固 三模冗余 近似计算 多目标优化 
更正
《电子与封装》2024年第5期13-13,共1页《电子与封装》编辑部 
《电子与封装》2023年8月刊(第23卷第8期,总第244期),《大气中子及α粒子对芯片软错误的贡献趋势》文中图1(P080401-2)的图例由上至下“高能中子”“α粒子”和“热中子”应为“热中子”“α粒子”和“高能中子”。特此更正,并为由此给...
关键词：Α粒子 热中子 高能中子 软错误 更正 
32 nm工艺下基于输入分离C单元的三节点翻转容忍锁存器设计
《现代信息科技》2024年第9期43-46,52,共5页夏宇 
随着集成电路特征尺寸的不断缩减,存储电路中单粒子效应造成的多节点翻转的概率越来越大,严重影响了电路的可靠性。因此,为了增加存储电路的抗辐射加固能力和可靠性,提出一种三节点翻转加固锁存器TNUTL。该锁存器使用双模冗余和输入分离...
关键词：锁存器 C单元 软错误 三节点翻转 
一种低开销的三节点翻转容忍锁存器设计
《河南科技》2024年第8期9-13,共5页秦学伟 
【目的】随着半导体技术的发展,集成电路特征尺寸不断缩小,导致其对软错误更加敏感,因此需要对集成电路存储单元进行加固。【方法】使用Hspice进行实验与仿真,基于PTM32nm CMOS工艺,提出了一种低开销的三节点翻转容忍锁存器结构。【结...
关键词：锁存器 软错误 三节点翻转 
基于DI反馈互锁的低开销抗四节点翻转锁存器研究
《华北科技学院学报》2024年第2期54-62,84,共10页王俊 徐辉 
国家自然科学基金面上项目(61404001)。
随着CMOS集成电路工作频率和工艺的提升,深纳米级电路在高辐射空间环境中也越来越容易受到辐射粒子撞击引起的软错误影响。本文提出了一种低成本的quadruple-node-upsets(QNUs)容忍锁存器设计LCQNUTL,由三个独立的存储单元SC和拦截模块C...
关键词：辐射 软错误 锁存器设计 四节点翻转 
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