云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王天琦

王天琦: 作品数：13被引量：11H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>; 发文主题：离子束电流辐照单粒子肖特基二极管更多>>; 发文领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>; 发文期刊：《微电子学与计算机》《集成电路与嵌入式系统》《物理学报》《原子能科学技术》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金哈尔滨市科技创新人才研究专项资金更多>>

镜像电荷对低能离子在菱形微孔中传输的影响: 《物理学报》2025年第7期156-168,共13页孙文胜袁华刘恩顺杜战辉潘俞舟樊栩宏王麒俊赵崭岩陈乾万城亮崔莹朱丽萍李鹏飞王天琦姚科 ReinholdSchuch 房铁峰陈熙萌张红强; 国家自然科学基金(批准号:u1732269,12474045)资助的课题。; 本文进行了1 keV N_(2)^(+)离子束穿越完全放电的白云母微孔膜实验,测量了0°倾角下离子束入射初期的出射离子二维角分布图.将离子速度对通道壁介电响应的影响引入镜像电荷力表达式,对离子在菱形通道内所受镜像电荷力进行了多阶修正.采...; 关键词：微孔膜镜像电荷力低电荷态离子介电响应

300 MeV质子重离子加速器及电子器件单粒子效应试验研究: 《现代应用物理》2024年第4期130-136,共7页沈志强刘剑利陈启明肖一平刘超铭王天琦; 国家自然科学基金资助项目(12075069,12275061,62304102,62234007,62293522,U21A20503,U21A2071)。; 300 MeV质子重离子加速器主要用于模拟空间环境中高能粒子辐照,探索高能粒子与材料、器件以及生命体的相互作用机理。该加速器主要由离子源、直线加速器、注入线、同步加速器、引出线和3个实验终端组成。自2022年11月验收以来,该加速器...; 关键词：质子重离子加速器高能粒子辐照 SiC功率MOSFET器件栅极潜损伤泄漏电流永久退化单粒子烧毁

双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究: 《现代应用物理》2024年第4期40-46,58,共8页王春林高见头刘凡宇陈思远王娟娟王天琦李博倪涛; 国家自然科学基金资助项目(U2267210)。; 随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space envir...; 关键词：绝缘体上硅双埋氧层绝缘体上硅静态随机存储器单粒子效应单粒子翻转

面向投票类AI分类器的零冗余存储器容错设计: 《集成电路与嵌入式系统》2024年第6期1-8,共8页柳姗姗金辉刘思佳王天琦周彬马瑶王碧常亮周军; 国家自然科学基金(12075069,61771167,11775061,11805045);四川省基金重点项目(2019YFSY0028);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室项目(SKLIPR1912,SKPLIPR2015)。; 投票类分类器广泛应用于多种人工智能(Artificial Intelligence,AI)场景,在其电路系统中,用于存储已知样本信息的存储器易受到辐射、物理特性变化等多种效应影响,引发软错误,继而可能导致分类失败。因此,在高安全性领域应用的AI分类器,...; 关键词：存储器软错误人工智能分类器错误纠正码 k邻近算法

基于玻璃毛细管的大气环境MeV质子微束的产生与测量: 《物理学报》2024年第10期143-152,共10页万城亮潘俞舟朱丽萍李鹏飞张浩文赵卓彦袁华樊栩宏孙文胜杜战辉陈乾崔莹廖天发魏晓慧王天琦陈熙萌李公平 Reinhold Schuch 张红强; 国家自然科学基金(批准号:U1732269);中央高校基本科研业务费(批准号:lzujbky-2021-sp41);广东省普通高校重点项目(批准号:2022ZDZX3028);广东省基础与应用基础研究基金(批准号:2022B1515120051);广东省教育厅重点建设学科项目(批准号:2022ZDJS055)资助的课题。; 本文采用玻璃毛细管产生了大气环境中工作的2.5 MeV质子外束微束,并对束斑直径及能量分布随玻璃毛细管与束流方向之间角度(倾角)变化进行测量.测量结果表明,在玻璃毛细管轴向与束流方向一致时(倾角为0°),产生的微束中存在保持初始入射...; 关键词：离子外束微束 MeV质子锥形玻璃毛细管

SiC功率器件辐照效应研究进展被引量：3: 《电子与封装》2022年第6期1-12,共12页刘超铭王雅宁魏轶聃王天琦齐春华张延清马国亮刘国柱魏敬和霍明学; SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分,是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时,针对不同SiC功率器件(SiC SBD、SiC JBS、SiC MOSFET)在空间辐射环境下的性能退化规律进行了概述,重点分...; 关键词：SiC功率器件肖特基势垒二极管结势垒肖特基二极管 MOSFET 空间辐射效应损伤机理

柔性倒置赝型三结太阳电池高能质子辐射效应研究被引量：4: 《原子能科学技术》2021年第12期2216-2223,共8页张延清周佳明刘超铭施祥蕾杨洋焦小雨孙利杰王训春肖立伊王天琦霍明学; Supported by National Natural Science Foundation of China(11805045,11775061,12075069,61771167);Project of State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect(SKLIPR2015);Shanghai Institute of Space Power-sources/State Key Laboratory of Space Power-sources Technology(SAST2020-099);China Postdoctoral Science Foundation(2021T140156)。; 为考察柔性薄膜GaInP/GaAs/InGaAs倒赝型三结(IMM3J)太阳电池的抗辐照性能,本文对其进行了1、3、5 MeV高能质子辐照。SRIM模拟结果表明,1、3、5 MeV质子辐照在IMM3J电池中造成均匀的位移损伤。光特性(LIV)结果表明,开路电压(V_(oc))、...; 关键词：IMM3J太阳电池辐射效应位移损伤剂量

GaN基MOSFET低温特性的实验表征及分析: 《原子能科学技术》2021年第12期2231-2236,共6页肖一平王雅宁刘超铭张延清齐春华王天琦马国亮霍明学陆裕东岳龙; Supported by National Natural Science Foundation of China(11805045,11775061,61704039,61771167)。; 深空探测活动需要电子元器件在极端低温环境(T<40 K)中能正常使用。基于低温环境下的应用需求,本文研究了GaN基MOSFET在15~300 K温区的低温环境效应。实验结果显示,随着温度逐渐从300 K降低到15 K,饱和漏极电流和阈值电压均增大。低温下...; 关键词：GAN MOSFET 低温特性

电容式MEMS加速度计电子辐照效应研究: 《黑龙江大学自然科学学报》2021年第4期481-488,共8页刘超铭蒋礼达刘国文马国亮王天琦孙凤云霍明学; 国家自然科学基金资助项目(11775061)。; 随着我国航天工程的技术发展,对航天器用惯性器件的小型化和轻量化的需求越来越高,研究微电子机械系统(Micro electromechanical system,MEMS)惯性器件的空间环境效应以保障其在轨长寿命和高可靠运行就显得尤为重要。针对国产电容式MEM...; 关键词：微电子机械系统电容式加速度计电子辐照电压特性

4H-SiC结势垒肖特基二极管电子辐照效应测试分析被引量：2: 《现代应用物理》2021年第2期69-75,共7页刘超铭肖一平王天琦张庆豪王祖军李何依冯绍辉齐春华张延清马国亮霍明学; 国家自然科学基金资助项目(11775061,61704039,61771167,11805045);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费资助项目(SKLIPR1912)。; 采用1 MeV电子辐照,开展了4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)空间电子辐照效应测试分析。测试结果表明,随着辐照电子注量的增加,JBS的正向特性逐渐退化,串联电阻逐渐增加;电子注量为5×10^(14) cm^(-2)时,反向漏电流在高反向电压下有所增加...; 关键词：4H-SIC 结势垒肖特基二极管光致发光电子辐照辐射效应

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