肖特基势垒二极管

作品数：181被引量：240H指数：7
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沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的设计与仿真
《合肥工业大学学报(自然科学版)》2025年第2期196-202,231,共8页杨震 吴春艳 吴霞 高金绪龙 陈强 解光军 
安徽省自然科学基金资助项目(2208085MF177)。
在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 肖特基势垒二极管(SBD) 沟槽结构 功率器件仿真 
Ga_(2)O_(3)/NiO_(x)肖特基势垒二极管器件的性能优化研究
《人工晶体学报》2025年第2期337-347,共11页王凯凯 杜嵩 徐豪 龙浩 
国家自然科学基金(62174140)。
由于缺乏p型氧化镓(Ga_(2)O_(3)),p型氧化镍(p-NiO_(x))通常被用于Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)中,这类二极管一般采用结终端延伸(JTE)或异质结势垒肖特基(HJBS)结构。然而,NiO_(x)对器件性能的影响尚未被充分研究。在本研究中,通...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) NiO_(x) SBD 击穿电压 PFOM JTE HJBS 
高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
《半导体技术》2025年第2期141-146,共6页胡宪富 
蒙东新能源事业部唐兴风电场集电线路智慧运维在线监测装置项目(P-XJ-23-00038702)。
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO...
关键词：GAN 肖特基势垒二极管(SBD) 钛酸钡(BTO) 击穿电压 电场仿真 
基于太赫兹单片集成电路的560 GHz次谐波混频器设计
《固体电子学研究与进展》2024年第5期390-395,共6页张宜明 张勇 牛斌 代鲲鹏 张凯 陈堂胜 
固态微波器件与电路全国重点实验室基金开放课题项目(61428032204)。
基于太赫兹单片集成技术,设计并加工了一款560 GHz次谐波混频器。建立了二极管的三维电磁模型进行全波仿真,并结合二极管SPICE参数模型,获得了包括寄生参数和本征参数的二极管完整模型。基于半分部−半整体设计法对电路进行了仿真优化,...
关键词：太赫兹单片集成电路 次谐波混频器 肖特基势垒二极管 
大电流金刚石功率肖特基势垒二极管
《真空电子技术》2024年第5期59-63,共5页郁鑫鑫 王若铮 谯兵 李忠辉 沈睿 周建军 周立坤 
基于硼掺杂金刚石外延材料,开展了安培级大电流金刚石功率肖特基势垒二极管(SBD)的研制。为了获得高的电流导通能力和击穿电压,该器件采用了垂直结构设计,包含300μm厚的硼重掺杂金刚石衬底和2.5μm厚的轻掺杂漂移层。采用低功函数金属T...
关键词：金刚石 硼掺杂 肖特基势垒二极管 导通电流 击穿电压 
肖特基二极管电热模型研究
《微波学报》2024年第S1期314-317,共4页朱培恺 夏雷 
本文通过对肖特基势垒二极管不同温度下的电流电压(I-V)特性分析,将反向饱和电流(I_(0))、理想因子(n)及串联电阻(R_(S))三个参数与温度相关联,建立了肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)电热模型。为了验证模型的特性,将...
关键词：肖特基势垒二极管 SDD模型 电热模型 
基于SiC肖特基二极管温度特性的研究
《电子设计工程》2024年第8期32-35,40,共5页李金钊 
碳化硅(SiC)作为第三代宽带隙半导体材料,其因优异的物理特性而被广泛研究。针对SiC器件在高温环境下可能会因为不理想的散热导致器件失效从而引发可靠性问题,文中采用仿真的方法对铂Pt/SiC肖特基二极管器件进行了测试,并研究了该型器...
关键词：碳化硅 肖特基势垒二极管 温度特性 开启电压 电子迁移率 
阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管击穿特性被引量：1
《半导体技术》2023年第5期375-379,共5页郭艳敏 杨玉章 冯志红 王元刚 刘宏宇 韩静文 
青年人才托举工程资助项目(2020-JCJQ-QT-080)。
提出了一种采用阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)击穿特性的新方法。基于氢化物气相外延(HVPE)法生长的Ga_(2)O_(3)材料制备了Ga_(2)O_(3)纵向SBD。在完成阳极制备后,对阳极以外的Ga_(2)O_(3)漂移区进行了不同深度的刻蚀,...
关键词：氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 肖特基势垒二极管(SBD) 刻蚀 击穿电压 功率品质因子(FOM) 
α-Ga_(2)O_(3)基SBD场板结构与电流台阶的关联研究被引量：1
《电子元件与材料》2023年第2期193-199,共7页盛雨 陈琳 葛雅倩 李思彦 陶志阔 
作为典型的超宽禁带半导体,氧化镓(Ga_(2)O_(3))逐渐以新型功率器件优选材料的身份成为研究热点。近年来它的亚稳态α相因具有相对最宽的带隙,且与蓝宝石、氮化镓相似的六角晶格而受到关注。研究了α-Ga_(2)O_(3)基肖特基二极管器件,在T...
关键词：α氧化镓 肖特基势垒二极管 电流-电压特性 电流台阶 
氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展被引量：2
《半导体技术》2022年第12期946-955,共10页王歌 杨帆 王方圆 杜浩毓 王晓龙 檀柏梅 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(F2018202174)。
Ga_(2)O_(3)是一种新型宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm,Baliga优值超过3000,因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga_(2)O_(3)是继SiC和GaN之后制作高性能半导体器件的优选材料,近年来受到了广...
关键词：氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 肖特基势垒二极管(SBD) 外延 边缘终端 场板 
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