刻蚀

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基于刻蚀处理的池沸腾传热性能实验研究
《原子与分子物理学报》2025年第3期180-188,共9页王菊萍 匡纯纯 刘妮 
为探究刻蚀处理铜板表面对池沸腾传热性能的改善效果,搭建了可视化实验平台,制备不同刻蚀浓度和刻蚀时间处理的表面,采用去离子水为工质,进行饱和池沸腾实验.结果表明,氨水刻蚀浓度越大,表面的换热性能越强,氨水刻蚀时间越长,表面换热...
关键词：池沸腾 刻蚀 传热性能 气泡动力学 微纳结构表面 
基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长
《半导体技术》2025年第5期481-487,共7页高楠 房玉龙 王波 张志荣 尹甲运 韩颖 刘超 
GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H,刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AIN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬...
关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶 高温刻蚀 半高宽(FWHM) 
废弃晶硅光伏太阳能电池回收工艺的创新与挑战
《工程建设与设计》2025年第7期63-66,共4页何立琪 刘勇 杨一言 
长沙市科技重大专项(kh2301023);湖南省重点研发计划项目(2023SK2072)。
随着光伏产业的不断发展,废弃晶硅电池的回收问题变得日益紧迫。论文介绍了晶硅电池的结构及材料价值,以及废弃晶硅光伏组件的回收的3种工艺:物理法、热分解法以及化学溶剂法,对新型回收工艺进行探索,包括热解与溶剂结合回收工艺、物理...
关键词：废弃晶硅光伏太阳能电池 回收工艺 盐刻蚀回收法 组合回收工艺 
g-C_(3)N_(4)的刻蚀介质、酸碱环境对降解性能的影响及降解选择性和机理探究
《化学研究与应用》2025年第4期814-820,共7页郭桂全 邢翠娟 张淑娇 王彦娜 郭焕焕 武诺豪 
邢台市科技计划项目(2023ZZ076)资助。
使用热聚法制备了石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4)),然后用二甲亚砜、NaOH溶液和H_(2)SO_(4)溶液分别对g-C_(3)N_(4)进行刻蚀。并且使用XRD和SEM对g-C_(3)N_(4)以及刻蚀后的g-C_(3)N_(4)进行表征。结果表明,刻蚀后的材料依旧是g-C_(3)N_(4)...
关键词：g-C_(3)N_(4)光催化剂 制备 刻蚀 降解 机理 
金刚石等离子体刻蚀技术研究进展
《表面技术》2025年第7期34-49,共16页焦硕沛 张旭芳 李明坤 张雪恰 张静 
国家自然科学基金资助项目(62304005);北方工业大学校内专项(110051360024XN147-07/150-23/245/246)。
金刚石因其优越的电学、物理及化学性质,如超宽的禁带宽度、高硬度、高热导率和高稳定性,被广泛应用于电子器件、光学元件及微机电系统(MEMS)等领域。然而,由于其高度稳定的物理和化学性质,使得金刚石的加工具有极大的挑战性。在众多金...
关键词：金刚石 等离子体刻蚀 微纳加工 金属催化 图案化 激光诱导 
浅谈西门子PLC和VFD在链式湿法刻蚀设备中的应用
《中国设备工程》2025年第8期119-121,共3页张铠超 
在当前社会发展的过程中,自动化控制技术得到了快速的发展,西门子PLC和变频器VFD在光伏/半导体行业中得到了广泛的使用,本文就其在硅片链式酸刻设备控制系统中的应用进行阐述。刻蚀工艺的正确进行是很关键的,否则芯片将不能工作。不正...
关键词：西门子PLC和VFD 链式酸刻设备 刻蚀工艺 
高深度通孔TSV转接板成孔工艺研究
《电子机械工程》2025年第2期41-45,51,共6页高浩 张伟强 顾玥 王一丁 李浩 王越飞 崔凯 
文中针对硅基微流道等硅通孔(Through Silicon Via,TSV)转接板应用中兼容基板厚度和层间电互连的需求,开发厚度超过500μm的通孔TSV转接板制备工艺,突破高深度通孔刻蚀的关键工艺技术。制备的TSV转接板的孔径为80μm,深度超过500μm,深...
关键词：硅通孔 刻蚀 高深度 
基于AZ6130光刻胶掩膜的氮化硅ICP刻蚀工艺
《材料热处理学报》2025年第3期208-214,共7页白敬元 杨洪广 占勤 窦志昂 张志坤 
中核集团英才基金(219601)。
使用AZ6130光刻胶作为等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀掩膜,分析了前后烘温度、匀胶转速及曝光剂量对光刻胶侧壁形貌的影响,探究了ICP功率对光刻胶掩膜及氮化硅刻蚀形貌的影响。结果表明:当前烘温度为9...
关键词：光刻 氮化硅 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 
聚酰亚胺/锆自支撑薄膜激光制备和性能研究
《淮北师范大学学报(自然科学版)》2025年第1期26-31,共6页刘仁臣 王永伟 
安徽省高校自然科学研究重点项目(KJ2021A1200)。
探讨超薄聚酰亚胺(PI)/锆(Zr)自支撑滤光膜的制备和性能。以稀盐酸为腐蚀剂,对涂于氧化锌衬底上的聚酰胺酸薄膜进行剥离,经热亚胺化转化为聚酰亚胺薄膜,脱膜后得到厚度为600 nm自支撑PI薄膜。再在该自支撑PI薄膜上沉积一层200 nm的锆膜...
关键词：聚酰亚胺 锆 自支撑 激光刻蚀 
ICP刻蚀对超晶格红外探测器电极制备的控制
《红外》2025年第3期1-7,共7页任昂 刘铭 李景峰 
国家重点研发计划“政府间国际科技创新合作”重点专项(2022YFE0119500);上海市科技计划项目(22010503600)。
Ⅱ类超晶格红外探测器通常利用台面结实现对红外辐射的探测,其中金属电极的制备工艺至关重要。深入研究了电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma, ICP)刻蚀系统中物理刻蚀与化学刻蚀对超晶格探测器电极孔形貌的控制以及对刻蚀速...
关键词：红外探测器 ICP刻蚀 超晶格 电极孔 侧壁倾角 
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