尹甲运

作品数：32被引量：32H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：氮化镓场效应晶体管氮化物衬底MOCVD更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金国家部委资助项目更多>>
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基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长
《半导体技术》2025年第5期481-487,共7页高楠 房玉龙 王波 张志荣 尹甲运 韩颖 刘超 
GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H,刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AIN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬...
关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶 高温刻蚀 半高宽(FWHM) 
石墨烯插入层对蓝宝石上GaN材料的应力调制
《微纳电子技术》2024年第9期142-147,共6页王波 房玉龙 尹甲运 张志荣 芦伟立 高楠 
较大的晶格失配和热失配使得异质外延生长的GaN材料具有很高的残余应力,对材料和器件的性能产生重要影响。在蓝宝石衬底和GaN外延层之间插入一层石墨烯,通过Raman光谱和弯曲度测试分析了石墨烯插入层对GaN材料应力的影响。Raman测试结...
关键词：氮化镓(GaN) 外延 石墨烯 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 应力 弯曲度 
高掺杂低位错p型GaN材料生长研究
《半导体技术》2024年第8期702-707,共6页高楠 房玉龙 王波 韩颖 张志荣 尹甲运 刘超 
对采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上生长的p型GaN材料进行了研究。p型GaN材料通常采用Mg掺杂来实现,但Mg有效掺杂量的增加会导致材料的空穴浓度提高,表面粗糙度变大、位错密度增加。采用Delta掺杂方式,在Cp_(2)Mg通入量一...
关键词：金属有机化学气相沉积(MOCVD) Delta掺杂 P型GAN 空穴浓度 半高宽(FWHM) 
6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响
《半导体技术》2022年第5期381-385,共5页房玉龙 张志荣 尹甲运 王波 芦伟立 高楠 陈秀芳 
大直径高质量SiC衬底对提高SiC和GaN器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布,模拟结果表明微凸温...
关键词：6英寸 SIC衬底 摇摆曲线 单晶质量均匀性 GaN外延 
势垒层Al组分呈台阶梯度的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管
《微纳电子技术》2022年第5期399-403,共5页房玉龙 张志荣 尹甲运 王波 高楠 芦伟立 陈宏泰 牛晨亮 
河北省省级科技计划资助项目(20311001D)。
设计并制备了AlGaN势垒层中Al组分呈线性梯度分布和呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN结构材料及其异质结构场效应晶体管(HFET),测试了基于两种结构材料的HFET器件性能。分析发现,两种结构HFET的阈值电压分别为-9.5和-3.2 V,在1 V栅偏压下,峰...
关键词：台阶梯度异质结 氮化镓(GaN) 异质结场效应晶体管(HFET) 均匀性 无线通信 
6英寸SiC衬底上MOVPE生长GaN HEMT材料
《半导体技术》2020年第8期623-626,637,共5页尹甲运 张志荣 李佳 房玉龙 郭艳敏 高楠 冯志红 
国家自然科学基金资助项目(61804139)。
采用金属有机气相外延(MOVPE)方法在6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长了GaN HEMT材料。使用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜和微区拉曼光谱仪等对材料的表面形貌、晶体质量和应力进行了测试和表征。测试结果表明,GaN外延材料(002)面...
关键词：GaN/AlGaN/GaN SiC GaN HEMT 应力 金属有机气相外延(MOVPE) 
具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料
《微纳电子技术》2019年第9期704-708,719,共6页王波 高楠 郭艳敏 尹甲运 张志荣 袁凤坡 房玉龙 冯志红 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目（61804139）;国家重点研发计划资助项目（2016YFB0400203)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54cm)蓝宝石衬底上制备了1.2μm厚的AlN背势垒的AlGaN/GaN/AlN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其AlGaN势垒层表面粗糙度(RMS)、二维电子气(2DEG)迁移率以及HEMT材料的弯曲...
关键词：氮化镓(GaN) 铝镓氮(AlGaN) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 背势垒 高电子迁移率晶体管(HEMT) 
退火气氛对p-GaN材料及其欧姆接触性能的影响
《半导体技术》2018年第7期529-533,共5页郭艳敏 房玉龙 尹甲运 刘沛 张志荣 王波 高楠 冯志红 
国家安全重大基础研究资助项目(1603613284-3)
利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）制备了Mg掺杂的p-GaN外延材料,并在不同气氛下对其进行退火,系统研究了不同退火气氛对p-GaN材料性质及欧姆接触性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）谱和原子力显微镜（AFM）对样品进行...
关键词：P-GAN 快速退火 欧姆接触 退火气氛 比接触电阻率 
基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料被引量：10
《物理学报》2018年第7期211-218,共8页张志荣 房玉龙 尹甲运 郭艳敏 王波 王元刚 李佳 芦伟立 高楠 刘沛 冯志红 
国家重点研究发展计划(批准号：2017YFB0404100)资助的课题.
研究了表面预处理对GaN同质外延的影响,获得了高电子迁移率AlGaN/GaN异质结材料.通过NH_3/H_2混合气体与H_2交替通入反应室的方法对GaN模板和GaN半绝缘衬底进行高温预处理.研究结果表明,NH_3/H_2能够抑制GaN的分解,避免粗糙表面,但不利...
关键词：金属有机物化学气相沉积 氮化镓 热处理 同质外延 
基于三氯硅烷的高质量4H-SiC多片外延生长被引量：2
《半导体技术》2018年第3期228-232,共5页卜爱民 房玉龙 李佳 芦伟立 赵丽霞 杨龙 尹甲运 刘沛 冯志红 陈秉克 蔡树军 
使用三氯硅烷（TCS）作为含氯生长源,在多片外延设备生长了高质量的4H-SiC外延材料。研究了原位预刻蚀气体HCl流量和刻蚀时间对SiC外延材料表面三角形缺陷的影响,使用光学显微镜和表面缺陷分析仪对SiC外延材料表面缺陷进行表征测试和统...
关键词：SIC 外延 三氯硅烷(TCS) 缺陷 不均匀性 
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