氮化镓

作品数：2066被引量：2756H指数：19
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郝跃李晋闽张进成王军喜赵德刚更多>>
相关机构：中国科学院西安电子科技大学北京大学电子科技大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
氮化镓蓝光激光器的质量管理技术
《中国质量》2025年第4期98-103,共6页杨磊 黄思溢 田有良 刘建平 
质量管理技术是每个企业生产过程的重要组成部分,提高产品质量可以提升企业竞争力,能够使企业在国际化的竞争中处于有利地位。本文旨在探讨氮化镓蓝光激光器的研发、制造等质量控制全过程,并深入分析其中的质量控制体系及面临的问题。...
关键词：质量管理技术 氮化激光器 质量意识 过程控制 
阳极退火对Co阳极准垂直结构GaN基肖特基二极管性能影响
《固体电子学研究与进展》2025年第2期86-91,共6页吴志勇 马群 王良臣 李晋闽 王军喜 刘志强 伊晓燕 
在蓝宝石衬底上制备了不同阳极叉指宽度的钴(Co)阳极准垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管(GaN Schottky barrier diode, GaN SBD),在此基础上分别进行300、350、400℃阳极退火。实验结果显示较小的阳极叉指宽度有利于实现较低的比导通电阻...
关键词：肖特基二极管 阳极退火 氮化镓 准垂直 
一种双模态的高效率反激式开关电源设计
《电子制作》2025年第5期81-85,共5页董壮 刘晓杰 
传统的开关电源都是使用定频调节占空比的方式,但是在面对负载变化较大时,尤其是在满载情况难以实现较高的转换效率,为解决这一问题,本文设计了一款双工作模式下的高效率开关电源,选用的氮化镓集成MOS控制芯片和反激的拓扑结构。输出为...
关键词：氮化镓 反激拓扑 断续模式 准谐振模式 高效率 
国际首创!九峰山实验室8英寸GaN衬底材料新突破
《变频器世界》2025年第3期39-40,共2页
3月22日,九峰山实验室首次公布了GaN相关的研究成果,包括国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底(N-polarGaNOI);全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台;动态远距离无人终端无线能量传输完成示范验证。成果覆盖了GaN产业链的上下游,包括材...
关键词：国际首创 8英寸硅基氮极性氮化镓衬底 
基于GaN的高频高功率密度混合集成电源设计
《强激光与粒子束》2025年第3期102-109,共8页朱伟龙 王鹏 郑辰雅 孙鹏飞 
模拟集成电路国家级重点实验室基金项目(JCKY2022210C005)。
混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V...
关键词：混合集成电路 有源箝位正激 氮化镓 同步整流 高可靠 
4 GHz~8 GHz宽带高增益250 W GaN功率放大器设计
《微波学报》2025年第1期6-9,共4页景少红 苏鹏 黄锦文 徐祖银 
研制了一款基于0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺的4 GHz~8 GHz宽带高增益功率放大器。通过对模型管的S参数和I-V曲线进行测试并进行拟合,最终得到氮化镓管芯的大信号等效电路模型,并利用氮化镓管芯的大信号等效电路模型进行精确的...
关键词：氮化镓 宽带 高增益 大功率 
基于扩展连续B/J类的带宽增强功率放大器设计
《微波学报》2025年第1期10-15,25,共7页杨正好 程知群 贾民仕 王坤 钟保全 朱浙鸣 李冰鑫 
浙江省科技计划项目(2024C01076);科技部基地平台(D20011);陕西省重点研发计划(2023-ZDLGY-49);杭州电子科技大学项目(KYS045624199)。
介绍了一种基于扩展连续B/J类模式的宽带高效率功率放大器的设计。提出了一种带宽增强双路径阻抗匹配技术,将连续的B/J类模式进行扩展,以实现电阻性二次谐波阻抗为设计目标,并与带宽可扩展的双枝节调谐网络相结合,通过同时操纵4个频率点...
关键词：扩展连续B/J类 宽带高效率 功率放大器 多倍频程 氮化镓 
基于GaN功放的X波段120 W发射组件设计
《微波学报》2025年第1期32-38,共7页王浪 吕高庆 王朝阳 
文中采用三级功率放大电路拓扑结构,利用氮化镓(GaN)微波功放管,通过设计功放射频电路与控制保护电路实现了X波段高增益120 W发射组件的研制。主要对发射组件内部的射频电路展开了深入的研究,具体包括:高隔离GaN功放偏置电路、GaN功放...
关键词：X波段 氮化镓功放 发射组件 射频电路 
基于GaN芯片的宽带170 GHz~260 GHz放大器模块
《微波学报》2025年第1期46-50,共5页刘广儒 张勇 朱华利 延波 
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室开放基金项目(61428032204)。
本文设计了一款基于氮化镓芯片的170 GHz~260 GHz固态放大器模块。该模块采用波导-共面波导过渡结构,通过在标准矩形波导中插入楔形波导膜片来实现高紧凑的低损耗过渡。仿真结果表明,该过渡在整个波导频带内回波损耗优于20 dB,插入损耗...
关键词：氮化镓 放大器模块 波导-共面波导过渡 宽带 
基于氮化镓0.1µm工艺的W波段宽带低噪声放大器芯片
《空间电子技术》2025年第1期103-108,共6页陈岩 王维波 王光年 陈忠飞 祁路伟 杨帆 张亦斌 吴少兵 
国家重点研发计划(编号:2023YFF0718203)。
文章针对高速宽带无线通信系统、仪器仪表、汽车雷达、安检成像等领域对低噪声放大器的低噪声、高增益、大动态范围和高可靠性需求,研发了一款基于0.1µm氮化镓(GaN)低压工艺的宽带低噪声放大器芯片,可在W波段75GHz~110GHz全频带内工作...
关键词：W波段 宽带 0.1μm氮化镓 低噪声放大器 
全选清除导出
共210页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部