肖特基二极管

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阳极退火对Co阳极准垂直结构GaN基肖特基二极管性能影响
《固体电子学研究与进展》2025年第2期86-91,共6页吴志勇 马群 王良臣 李晋闽 王军喜 刘志强 伊晓燕 
在蓝宝石衬底上制备了不同阳极叉指宽度的钴(Co)阳极准垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管(GaN Schottky barrier diode, GaN SBD),在此基础上分别进行300、350、400℃阳极退火。实验结果显示较小的阳极叉指宽度有利于实现较低的比导通电阻...
关键词：肖特基二极管 阳极退火 氮化镓 准垂直 
台面终端氧化镓肖特基二极管单粒子效应研究
《人工晶体学报》2025年第3期511-516,I0003,共7页贺松 刘金杨 郝伟兵 徐光伟 龙世兵 
超宽禁带氧化镓半导体材料具有高临界场强、位移阈能等优势,在太空等高压强辐照应用环境下具有良好的应用前景。然而,由于材料较低的热导率和空穴迁移率,高能粒子辐照容易导致器件在远低于额定电压下发生单粒子烧毁(SEB)。因此,本文提...
关键词：氧化镓 肖特基二极管 台面终端 辐照 单粒子效应 
氧化镓肖特基二极管硼离子注入终端技术研究
《人工晶体学报》2025年第3期524-529,共6页沈睿 郁鑫鑫 李忠辉 陈端阳 赛青林 谯兵 周立坤 董鑫 齐红基 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB3605504)。
β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大和击穿场强高等优异的物理特性,被认为是制作新一代大功率、高效率电力电子器件的理想半导体材料。然而,无终端的Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)容易在肖特基电极边缘产生高峰值电场,导致器件过早击穿,...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 肖特基二极管 硼离子注入 边缘终端 击穿电压 
应用于C波段的多自由度可调模拟预失真
《无线通信技术》2025年第1期44-48,共5页陈美华 李军 李淡森 
国家自然科学基金(62371266)。
为补偿功率放大器工作在饱和区时带来的幅度增益和幅度相位失真等非线性失真,本文提出了一种基于肖特基二极管的多自由度可调模拟预失真电路。输入信号由该电路的输入端输入,经过四等分威尔金森功分器分为四条支路,每条支路都串联一个基...
关键词：模拟预失真 肖特基二极管 多自由度 邻信道泄漏比 
新型复合终端氧化镓肖特基二极管电学特性仿真研究
《人工晶体学报》2025年第2期348-357,共10页屈珉敏 余建刚 李子唯 李旺旺 雷程 李腾腾 李丰超 梁庭 贾仁需 
国家重点研发计划(2023YFB3208500);山西省重点研发计划(202302030201001);山西省科技重大专项“揭榜挂帅”项目(202301030201003);山西省基础研究计划青年项目(202203021212191);国家自然科学基金专项项目(62441110)。
作为新一代宽禁带半导体,氧化镓因具有更大的禁带宽度(4.4~4.8 eV)和更高的击穿场强(8 MV/cm),成为制备耐高压、高频、高功率电力电子器件的最佳候选材料。然而,氧化镓肖特基二极管具有终端电场边缘集中效应,导致器件因提前击穿而失效,...
关键词：氧化镓 肖特基二极管 反向漏电流 击穿电压 复合终端 
复合终端下n-Ga_(2)O_(3)异质肖特基二极管的结构设计及优化
《功能材料与器件学报》2025年第1期56-63,共8页马豪威 朱敏敏 
福建省科技厅对外合作重点项目(No.2022I0006)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,具有高达4.8 eV的禁带宽度和8 MV/cm的临界击穿场强,这一特点很好地匹配了功率器件的性能要求。但是由于氧化镓的p型掺杂技术的缺失,氧化镓同质结器件的实现较为困难。基于此,本...
关键词：Ga_(2)O_(3)-SBD 复合终端结构 异质结 击穿电压 
基于InP/InGaAs肖特基二极管的高灵敏太赫兹探测器
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第1期40-43,共4页周静涛 金智 苏永波 史敬元 丁武昌 张大勇 杨枫 刘桐 
InP/InGaAs肖特基二极管(SBDs)探测器因其高电子迁移率和低势垒材料特性,具有非常高的电压响应灵敏度,广泛用于高灵敏太赫兹波探测技术中。为进一步降低器件寄生效应,提升其高频性能,本文提出一种无衬底单台面T型结新型结构的肖特基器件...
关键词：太赫兹检测器 肖特基二极管(SBDs) T型结 无衬底单台面 
基于GaN肖特基二极管的200 GHz二倍频器研制
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第1期44-48,共5页杨岚馨 骆祥 肖飞 张勇 
国家重点研发计划资助项目(2023YFB3609603)。
基于GaN肖特基二极管设计并实现了一款200 GHz高功率二倍频器。该倍频器采用高功率容量的氮化镓(GaN)肖特基二极管代替传统GaAs肖特基二极管,并结合高热导率的氮化铝(AlN)衬底,较大提升了倍频器的散热性能和输出功率;采用含有楔形膜片...
关键词：太赫兹 氮化镓 二倍频 氮化铝 
基于GaN肖特基二极管的大功率微波限幅技术研究
《集成电路与嵌入式系统》2025年第1期1-11,共11页霍树栋 张正兴 郑梦晗 党魁 张进成 郝跃 
国家自然科学基金青年基金项目(62204195);江苏省重点研发计划项目(BE20220572)。
随着高功率微波技术的发展,超宽带、高功率等强电磁技术对电子化设备威胁越来越大,使用高功率微波摧毁电子信息装备成为了干扰通信系统的重要方式。对高功率微波的防护主要分为前门防护和后门防护,限幅器作为前门防护的重要微波器件也...
关键词：高功率微波技术 GaN二极管 大功率限幅器 自检波架构 
微沟槽氮化镓α粒子辐射探测器制备及性能分析
《电子技术(上海)》2025年第1期14-15,共2页许啟凤 邹继军 伍义远 赖兴阳 蔡博文 
国家自然科学基金(12275049);江西省国际科技合作重点项目(20232BBH80005)。
阐述采用350μm厚的高阻氮化镓(GaN)晶体,通过清洗、光刻、刻蚀、镀膜等工艺步骤,制备了沟槽型肖特基二极管,用于α粒子辐射探测。探讨了探测器的性能,结果表明,在反向偏压200 V时,探测器的漏电流为0.28 nA;在偏置电压-650 V时,α粒子...
关键词：高阻氮化镓 α粒子辐射探测 肖特基二极管 
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