击穿电压

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具有超低比导通电阻的双漂移区双导通路径新型横向双扩散金属氧化物半导体
《物理学报》2025年第8期221-228,共8页段宝兴 任宇壕 唐春萍 杨银堂 
本文提出了一种具有双漂移区和双导通路径的新型横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件,实现了超低比导通电阻(R_(on,sp)).其漂移区采用P型和N型纵向交替所构成的双漂移区结构,并引入平面栅和槽型栅分别控制P型和N型漂移区,使得器件能...
关键词：双漂移区 双导通路径 比导通电阻 击穿电压 
氧化镍/氧化镓异质结二极管台面终端技术研究
《人工晶体学报》2025年第3期517-523,共7页文俊棚 郝伟兵 韩照 徐光伟 龙世兵 
超宽禁带半导体氧化镓具有高临界击穿场强、低导通损耗等优势,是制作新一代大功率、高效率功率器件的理想半导体材料。然而,目前氧化镓二极管的实际性能和理论极限相比仍有差距,迫切需要开发高效边缘终端来削弱峰值电场,提高器件的击穿...
关键词：氧化镓 氧化镍异质结二极管 台面终端 退火 击穿电压 
氧化镓肖特基二极管硼离子注入终端技术研究
《人工晶体学报》2025年第3期524-529,共6页沈睿 郁鑫鑫 李忠辉 陈端阳 赛青林 谯兵 周立坤 董鑫 齐红基 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB3605504)。
β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大和击穿场强高等优异的物理特性,被认为是制作新一代大功率、高效率电力电子器件的理想半导体材料。然而,无终端的Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)容易在肖特基电极边缘产生高峰值电场,导致器件过早击穿,...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 肖特基二极管 硼离子注入 边缘终端 击穿电压 
SiPM批量老练和性能测量系统研制
《核技术》2025年第3期101-111,共11页易楚琦 韩纪锋 陈阳梅 胡鹏 何骏涵 龙逸洋 刘星泉 林炜平 曲国峰 钱森 任培培 任晶 宋瑞强 汪鹏辉 王科 王娜 王志刚 王慈 王姣 殷生华 赵朝阳 
国家重点研发计划项目(No.2023YFF0721700)资助。
硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)作为近年来发展的一种新型光电探测器件,具有低成本、小型化、工作电压低等优势,已广泛应用于粒子探测、医学成像、高能物理等领域,特别是在大面积粒子成像领域,有着广阔的应用前景。但大面...
关键词：SIPM 批量测量 系统设计 老练性能测量 击穿电压 
MOCVD生长的外延层掺杂氧化镓场效应晶体管
《人工晶体学报》2025年第2期312-318,共7页郁鑫鑫 沈睿 于含 张钊 赛青林 陈端阳 杨珍妮 谯兵 周立坤 李忠辉 董鑫 张洪良 齐红基 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB3605504)。
本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分别为2...
关键词：氧化镓 MOCVD外延 掺杂 比导通电阻 击穿电压 功率优值 
Ga_(2)O_(3)/NiO_(x)肖特基势垒二极管器件的性能优化研究
《人工晶体学报》2025年第2期337-347,共11页王凯凯 杜嵩 徐豪 龙浩 
国家自然科学基金(62174140)。
由于缺乏p型氧化镓(Ga_(2)O_(3)),p型氧化镍(p-NiO_(x))通常被用于Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)中,这类二极管一般采用结终端延伸(JTE)或异质结势垒肖特基(HJBS)结构。然而,NiO_(x)对器件性能的影响尚未被充分研究。在本研究中,通...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) NiO_(x) SBD 击穿电压 PFOM JTE HJBS 
新型复合终端氧化镓肖特基二极管电学特性仿真研究
《人工晶体学报》2025年第2期348-357,共10页屈珉敏 余建刚 李子唯 李旺旺 雷程 李腾腾 李丰超 梁庭 贾仁需 
国家重点研发计划(2023YFB3208500);山西省重点研发计划(202302030201001);山西省科技重大专项“揭榜挂帅”项目(202301030201003);山西省基础研究计划青年项目(202203021212191);国家自然科学基金专项项目(62441110)。
作为新一代宽禁带半导体,氧化镓因具有更大的禁带宽度(4.4~4.8 eV)和更高的击穿场强(8 MV/cm),成为制备耐高压、高频、高功率电力电子器件的最佳候选材料。然而,氧化镓肖特基二极管具有终端电场边缘集中效应,导致器件因提前击穿而失效,...
关键词：氧化镓 肖特基二极管 反向漏电流 击穿电压 复合终端 
微间距气隙放电路径对击穿电压的影响
《电子器件》2025年第1期142-147,共6页马国凯 赵来军 王国达 张昊 孙岩洲 
国家自然科学基金项目(11405044)。
为研究微米尺度下击穿电压曲线“平台期”出现的原因及其影响因素,在20μm~100μm的电极间距,1 kPa~100 kPa的气压范围内,设置三组不同电极进行气体放电实验并对结果进行分析。在不同电极曲率半径的条件下,随气压变化,击穿电压曲线偏离P...
关键词：微米间隙 Paschen曲线 平台期 路径自调制 
复合终端下n-Ga_(2)O_(3)异质肖特基二极管的结构设计及优化
《功能材料与器件学报》2025年第1期56-63,共8页马豪威 朱敏敏 
福建省科技厅对外合作重点项目(No.2022I0006)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,具有高达4.8 eV的禁带宽度和8 MV/cm的临界击穿场强,这一特点很好地匹配了功率器件的性能要求。但是由于氧化镓的p型掺杂技术的缺失,氧化镓同质结器件的实现较为困难。基于此,本...
关键词：Ga_(2)O_(3)-SBD 复合终端结构 异质结 击穿电压 
低分压下C_(5)F_(10)O/干燥空气混合气体的绝缘性能研究
《绝缘材料》2025年第2期9-15,共7页夏亚龙 李富祥 毛婳 王燕 靳梦磊 唐炬 肖淞 
四川省科技计划资助项目(2023NSFSC0297);国网四川省电力公司科技项目(52199723000K)。
为评估C_(5)F_(10)O/干燥空气混合气体在低分压条件下替代现有干燥空气或氮气应用于绝缘设备的可行性,本研究系统分析了C_(5)F_(10)O/干燥空气混合气体的绝缘性能。结果表明:在准均匀电场下,C_(5)F_(10)O分压为5~10 kPa时,C_(5)F_(10)O...
关键词：C_(5)F_(10)O/干燥空气 绝缘性能 气体绝缘 SF_(6)替代气体 击穿电压 
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