比导通电阻

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具有超低比导通电阻的双漂移区双导通路径新型横向双扩散金属氧化物半导体
《物理学报》2025年第8期221-228,共8页段宝兴 任宇壕 唐春萍 杨银堂 
本文提出了一种具有双漂移区和双导通路径的新型横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件,实现了超低比导通电阻(R_(on,sp)).其漂移区采用P型和N型纵向交替所构成的双漂移区结构,并引入平面栅和槽型栅分别控制P型和N型漂移区,使得器件能...
关键词：双漂移区 双导通路径 比导通电阻 击穿电压 
MOCVD生长的外延层掺杂氧化镓场效应晶体管
《人工晶体学报》2025年第2期312-318,共7页郁鑫鑫 沈睿 于含 张钊 赛青林 陈端阳 杨珍妮 谯兵 周立坤 李忠辉 董鑫 张洪良 齐红基 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB3605504)。
本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分别为2...
关键词：氧化镓 MOCVD外延 掺杂 比导通电阻 击穿电压 功率优值 
富加镓业氧化镓外延片经二轮器件验证,性能具有显著国际竞争优势
《人工晶体学报》2024年第12期2205-2205,共1页齐红基 
近日,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)在第一轮器件验证基础上,优化分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)工艺,大幅提升外延片性能,基于此外延片研制的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)横向功率器件,其电流密度提...
关键词：外延片 分子束外延 氧化镓 比导通电阻 半导体材料 国际竞争优势 国家重点研发计划 富加 
1500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究
《电子学报》2024年第7期2271-2278,共8页种一宁 李珏 乔明 
广东省基础与应用基础研究基金(No.2021B1515020031);国家自然科学基金(No.62174024);航空科学基金(No.201943080002)~~。
本文利用半超结结构进行高压超结功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件的设计,基于Sentaurus TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真平台设计超结元胞结构并优化高压超结功率MOS器件的击穿电压与导通电阻,随...
关键词：超结VDMOS 元胞 击穿电压 比导通电阻 寄生电容 
具有阶梯掺杂缓冲层的双栅超结LDMOS
《电子元件与材料》2024年第5期505-512,共8页唐盼盼 张峻铭 南敬昌 
国家自然科学基金(61971210)。
具有N型缓冲层的超结横向双扩散金属-半导体场效应晶体管(SJ-LDMOS)结构能够有效抑制传统结构中存在的衬底辅助耗尽效应(SAD)。为进一步优化器件性能,提出了一种具有阶梯型掺杂缓冲层的双栅极SOI基SJ-LDMOS(DG SDB SJ-LDMOS)器件结构。...
关键词：SJ-LDMOS 阶梯掺杂 沟槽栅极 击穿电压 比导通电阻 
U型高K介质膜槽栅垂直场板LDMOS
《微电子学》2024年第1期110-115,共6页钱图 代红丽 周春行 陈威宇 
天津市大学生创新创业训练计划项目(202210060101)。
近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4μm的高K介质膜包围的SiO_(2)沟槽中引入垂直场...
关键词：LDMOS 高K介质 垂直场板 击穿电压 比导通电阻 
一种利用多P埋层的低导通电阻高压SOILDMOS结构
《桂林电子科技大学学报》2023年第6期439-445,共7页姜焱彬 李琦 王磊 杨保争 何智超 
国家自然科学基金(61464003)。
为了实现低比导通电阻(Ron,sp)和高击穿电压(VBV),提出并仿真一种利用多个P埋层与阶跃掺杂漂移区的低导通电阻高电压SOI LDMOS(PL-SOI LDMOS)结构。PL-SOI LDMOS结构由多个不同的P埋层组成,其长度与浓度均在垂直方向依次递减。利用多个...
关键词：击穿电压 比导通电阻 多埋层 阶跃掺杂 LDMOS 
SiC功率LDMOS器件发展现状及新进展被引量：1
《半导体技术》2023年第11期949-960,共12页杨帅强 刘英坤 
集成化和小型化是未来电力电子技术的发展方向,SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件兼有SiC材料优势和LDMOS器件优势,击穿电压高、比导通电阻低、易与其他器件集成,在单片功率集成和小型化应用中起着重要的作用,但受限于晶圆材料...
关键词：SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 衬底 晶面 器件结构 击穿电压 比导通电阻 
一种三层EPI结构SGT MOSFET设计被引量：1
《西安邮电大学学报》2023年第4期36-43,共8页商世广 郭雄雄 张雨 王洋菲 俱帅 
陕西省重点研发计划项目(2022GY-002)。
提出了一种三层外延(Epitaxy,EPI)结构的屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SGT MOSFET)设计方案。利用Sentaurus TCAD工具,将单层EPI结构调整为三层EP...
关键词：SGT MOSFET 三层EPI 品质因数 击穿电压 比导通电阻 
具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS被引量：1
《微电子学》2023年第1期134-138,共5页何乃龙 许杰 王浩 赵景川 王婷 朱文明 张森 
国家自然科学基金资助项目(62074030)
提出了一种具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS(SETR LDMOS)。该结构将传统Triple-RESURF LDMOS(TR LDMOS)中均匀掺杂的P埋层漏端一侧做分段处理,使漂移区中P型杂质从源端到漏端呈现出近似阶梯掺杂的分布。这种优化能够平衡漏端底部...
关键词：P型埋层 LDMOS 击穿电压 比导通电阻 
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