富加镓业氧化镓外延片经二轮器件验证,性能具有显著国际竞争优势  

作　　者：齐红基 

机构地区：[1]富加镓业

出　　处：《人工晶体学报》2024年第12期2205-2205,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：近日,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)在第一轮器件验证基础上,优化分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)工艺,大幅提升外延片性能,基于此外延片研制的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)横向功率器件,其电流密度提升78.3%,比导通电阻下降约50%,具备显著国际竞争优势。上述工作得到国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目支持(项目编号:2022YFB3605500)。

关 键 词：外延片 分子束外延 氧化镓 比导通电阻 半导体材料 国际竞争优势 国家重点研发计划 富加 

分 类 号：F426[经济管理—产业经济]