氧化镓

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氧化镓射频器件研究进展
《固体电子学研究与进展》2025年第2期1-11,共11页郁鑫鑫 沈睿 谯兵 李忠辉 叶建东 孔月婵 陈堂胜 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3605504)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))是性能优异的超宽禁带半导体材料,不仅临界击穿场强大、饱和速度高,而且具有极高的巴利加优值和约翰逊优值,在功率和射频器件领域具有重要的应用前景。本文聚焦于Ga_(2)O_(3)射频器件,首先介绍了Ga_(2)O_(3)在射频...
关键词：氧化镓 超宽禁带 射频器件 
超快高灵敏日盲光电探测器研制成功
《电子质量》2025年第3期109-109,共1页颉满斌 
据报道,兰州大学物理科学与技术学院联合中国科学技术大学组成的研究团队,在宽禁带半导体光电探测领域取得重要进展,成功开发出一种同时具备超快、高灵敏响应的氧化镓日盲光电探测器,有效破解了长期困扰该领域的响应度和速度两难的困境...
关键词：高灵敏 氧化镓 光电探测器 日盲 超快 
全球首发!杭州仁发布首颗8英寸氧化单晶
《变频器世界》2025年第3期56-56,共1页
2025年3月5日,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“仁半导体”)发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化单晶生长,并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。这一成果,标志着镓仁半导体成...
关键词：杭州镓仁半导体有限公司 第四代半导体氧化镓 
镓源温度对LPCVD氧化镓外延温度场影响的仿真研究
《人工晶体学报》2025年第3期452-461,共10页胡继超 赵启阳 杨志昊 杨莺 彭博 丁雄杰 刘薇 张红 
国家自然科学基金(62474139,62104186,61904146);西安市科技计划(2023JH-GXRC-0122)。
低压化学气相沉积(LPCVD)卧式反应炉腔体内的温度高,结构复杂,通入反应气体时容易导致反应室内温度分布不均匀,影响制备薄膜的质量。为了制备出更高质量的薄膜,根据反应炉的设备数据建立反应腔体的物理模型;基于热传导、热对流、热辐射...
关键词：低压化学气相沉积 Ga_(2)O_(3) 有限元仿真 温场 薄膜均匀性 生长速率 
氧化镓异质衬底集成技术研究进展
《人工晶体学报》2025年第3期470-490,共21页瞿振宇 徐文慧 江昊东 梁恒硕 赵天成 谢银飞 孙华锐 邹新波 游天桂 齐红基 韩根全 欧欣 
上海市战略前沿项目(24DP1500100);国家自然科学基金(62404236,62293520,62293521)。
超宽禁带氧化镓在高功率和射频器件领域显示出巨大发展潜力。然而,氧化镓固有的极低热导率和p型掺杂困难问题限制了其器件性能和结构设计。异质集成是突破单一材料性能极限,变革提升器件性能的关键技术。本文综述了异质外延、机械剥离...
关键词：氧化镓 异质衬底集成 异质外延 机械剥离 离子束剥离转移 热管理 
台面终端氧化镓肖特基二极管单粒子效应研究
《人工晶体学报》2025年第3期511-516,I0003,共7页贺松 刘金杨 郝伟兵 徐光伟 龙世兵 
超宽禁带氧化镓半导体材料具有高临界场强、位移阈能等优势,在太空等高压强辐照应用环境下具有良好的应用前景。然而,由于材料较低的热导率和空穴迁移率,高能粒子辐照容易导致器件在远低于额定电压下发生单粒子烧毁(SEB)。因此,本文提...
关键词：氧化镓 肖特基二极管 台面终端 辐照 单粒子效应 
氧化镍/氧化镓异质结二极管台面终端技术研究
《人工晶体学报》2025年第3期517-523,共7页文俊棚 郝伟兵 韩照 徐光伟 龙世兵 
超宽禁带半导体氧化镓具有高临界击穿场强、低导通损耗等优势,是制作新一代大功率、高效率功率器件的理想半导体材料。然而,目前氧化镓二极管的实际性能和理论极限相比仍有差距,迫切需要开发高效边缘终端来削弱峰值电场,提高器件的击穿...
关键词：氧化镓 氧化镍异质结二极管 台面终端 退火 击穿电压 
氧化镓肖特基二极管硼离子注入终端技术研究
《人工晶体学报》2025年第3期524-529,共6页沈睿 郁鑫鑫 李忠辉 陈端阳 赛青林 谯兵 周立坤 董鑫 齐红基 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB3605504)。
β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大和击穿场强高等优异的物理特性,被认为是制作新一代大功率、高效率电力电子器件的理想半导体材料。然而,无终端的Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)容易在肖特基电极边缘产生高峰值电场,导致器件过早击穿,...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 肖特基二极管 硼离子注入 边缘终端 击穿电压 
富加镓业氧化镓MOCVD同质外延技术取得突破,助力下游垂直功率电子器件产业落地
《人工晶体学报》2025年第3期532-532,共1页齐红基 
近日,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)在氧化镓MOCVD同质外延薄膜研发方面取得重要技术突破,在富加镓业的氧化镓单晶衬底上同质外延出厚度超过10μm的薄膜,经国家权威检测机构验证,该技术已达到国际领先水平,相关标准化产...
关键词：标准化产品 功率电子器件 同质外延 氧化镓 新能源汽车 检测机构 富加 MOCVD 
从单晶MgZnO到非晶Ga_(2)O_(3):深紫外光电探测器的发展和选择
《发光学报》2025年第3期399-411,共13页梁会力 朱锐 杜小龙 梅增霞 
国家自然科学基金(62174113,12174275,62404146);广东省基础与应用基础研究基金(2023A1515140094,2023A1515110730,2019B1515120057)。
宽带隙半导体在研制无滤光片紧凑型日盲紫外探测器方面具有极大的发展潜力。本文结合本团队在分子束外延MgZnO单晶薄膜和磁控溅射非晶Ga_(2)O_(3)薄膜以及相应日盲紫外探测器的研究经验,综述了以MgZnO和非晶Ga_(2)O_(3)为代表的宽带隙...
关键词：日盲紫外 光电探测器 镁锌氧 氧化镓 非晶 
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