射频器件

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氧化镓射频器件研究进展
《固体电子学研究与进展》2025年第2期1-11,共11页郁鑫鑫 沈睿 谯兵 李忠辉 叶建东 孔月婵 陈堂胜 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3605504)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))是性能优异的超宽禁带半导体材料,不仅临界击穿场强大、饱和速度高,而且具有极高的巴利加优值和约翰逊优值,在功率和射频器件领域具有重要的应用前景。本文聚焦于Ga_(2)O_(3)射频器件,首先介绍了Ga_(2)O_(3)在射频...
关键词：氧化镓 超宽禁带 射频器件 
一种集成滤波器和天线的低剖面双功能射频器
《微波学报》2024年第6期60-65,共6页郭庆毅 吕润聪 聂士峰 郭日耀 何文龙 
国家自然科学基金(62201353)。
文中介绍了一种低剖面的双端口射频器件,它集成了一个二阶滤波器和双极化天线。文中采用选择性耦合技术来抑制谐振器的谐波,从而为滤波器提供宽阻带。同时,谐振器本身作为馈线,为一个贴片天线提供了双极化辐射,而不会占用额外的器件面...
关键词：双端口射频器件 双极化天线 二阶滤波器 低剖面 选择性耦合 宽带阻带 工作频率比 
结构参数对微波射频器件引线键合性能的影响
《电子机械工程》2024年第6期42-48,55,共8页李广泌 薛松 刘少义 黄建伦 吴文志 王志海 王从思 
国家重点研发计划项目(2021YFC2203600);国家自然科学基金资助项目(U23A6017);陕西省秦创原“科学家+工程师”队伍建设项目(2022KXJ-030)。
作为有源相控阵雷达的关键组成部分,微波射频器件的尺寸与性能决定着雷达探测功能的有效发挥。引线键合是微波射频器件常用的互连技术,随着器件集成度的提高,键合引线的尺寸越来越小,如何保证封装高可靠性是行业亟待解决的问题。文中建...
关键词：引线键合 可靠性 疲劳寿命预测 电性能 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第9期I0002-I0003,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料...
关键词：电路与系统 功率半导体 宽禁带半导体材料 战略机遇期 射频器件 快速充电 太赫兹 技术瓶颈 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第8期I0004-I0005,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第7期I0003-I0004,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 原创性研究 专题栏目 太赫兹 GA2O3 射频器件 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第6期I0007-I0008,共2页郭宇锋 
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN 
射频器件材料变迁与电镀技术
《表面工程与再制造》2024年第3期17-20,共4页刘仁志 
随着以智能手机为代表的移动智能终端的普及,智能电子产品制造已成为当代制造业的主流。如今,全球5G系统尚处在建设阶段,我国在完善5G组网的同时,已经开始了6G系统的设计和开发。这一宏大的系统的建设,不仅需要强大的硬件支持,也需要电...
关键词：全产业链 移动智能终端 电镀技术 硬件支持 射频器件 智能手机 制造业 智能电子产品 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第5期I0007-I0008,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第4期I0008-I0009,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 原创性研究 专题栏目 战略机遇期 太赫兹 射频器件 
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