GA2O3

作品数：128被引量：265H指数：8
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Plasmonically enhanced solar-blind self-powered photodetector array utilizing Pt nanoparticlesmodified Ga2O3 nanorod heterojunction
《Photonics Research》2025年第1期140-149,共10页QINZHI ZHAO LINGFENG MAO PENG WAN LIJIAN LI KAI TANG CAIXIA KAN DANING SHI XIAOXUAN WANG MINGMING JIANG 
Postgraduate Research&Practice Innovation Program of NUAA(xcxjh20232107);National Natural Science Foundation of China(12374257).
Low-dimensional Ga_(2)O_(3)monocrystalline micro/nanostructures show promising application prospects in largearea arrays,integrated circuits,and flexible optoelectronic devices,owing to their exceptional optoelectroni...
关键词：HETEROJUNCTION exceptional ULTRAVIOLET 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第8期I0004-I0005,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第7期I0003-I0004,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 原创性研究 专题栏目 太赫兹 GA2O3 射频器件 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第6期I0007-I0008,共2页郭宇锋 
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第5期I0007-I0008,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN 
镓基氧化物薄膜日盲紫外探测器研究进展被引量：4
《发光学报》2023年第7期1167-1185,共19页陈星 程祯 刘可为 申德振 
国家自然科学基金(62074148,61875194,11727902);中组部万人计划青年拔尖项目;长春市科技发展计划(21ZY05);中国科学院青年创新促进会(2020225);吉林省自然科学基金(20220101053JC,20210101145JC);吉林省中青年科技创新创业卓越人才(团队)项目(20220508153RC)。
日盲紫外探测器在国防和民用领域均具有广阔的应用前景。基于宽禁带半导体材料的日盲紫外探测器具有无需昂贵的滤光片、工作电压低、全固态、体积小、重量轻、抗干扰能力强、工作温度范围广等特点,是公认的新一代紫外探测器。在众多的...
关键词：日盲 紫外探测器 GA2O3 镓基氧化物 镓酸盐氧化物 含镓三元合金氧化物 
Optical,thermal and luminescence properties of La2O3-Ga2O3-ZrO2 glasses co-doped with Tm3+/Yb3+prepared by containerless technique被引量：3
《Journal of Rare Earths》2022年第11期1706-1714,I0002,共10页Jiansheng Xie Minghui Zhang Yanzhuo Wang Rongting Guo Ying Shi Xiuhong Pan Xuechao Liu Kun Chen Meibo Tang Feng Wu Zhihong Zhang 
Project supported by the Youth Innovation Promotion Association,the Chinese Academy of Sciences(2020256);the Key Equipment Research Program,CAS(YJKYYQ20190008);the Science and Technology Committee of Shanghai(19142200400,20QA1410300);the National Natural Science Foundation of China(51602330,51472263);the Science and Technology Innovation Action Project of Science and Technology Committee of Shanghai(20511107400,19DZ1100703,20511107404)。
Bulk LaO-GaO-ZrO(LGZ)glass and Tm/Ybco-doped LGZ glasses were synthesized successfully using containerless technique.Raman spectra result reveals that the matrix sample possesses the low maximum phonon energy of~642 c...
关键词：Containerless technique Lanthanum gallate glass Thermal analysis LUMINESCENCE Rare earth ions 
Oxygen vacancies modulating self-powered photoresponse in PEDOT:PSS/ε-Ga_(2)O_(3)heterojunction by trapping effect被引量：3
《Science China(Technological Sciences)》2022年第3期704-712,共9页LI Shan YUE JianYing LU Chao YAN ZuYong LIU Zeng LI PeiGang GUO DaoYou WU ZhenPing GUO YuFeng TANG WeiHua 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61774019,61704153)。
Can the modulation effect of charge-carrier transfer be inherited from a single layer to its heterojunction structure?Certainly,the answer is yes.Herein,we experimentally verify that the photodetection performance mod...
关键词：oxygen vacancy SELF-POWERED PHOTODETECTOR HETEROJUNCTION PEDOT:PSS/ε-Ga2O3 
Modeling,simulations,and optimizations of gallium oxide on gallium-nitride Schottky barrier diodes
《Chinese Physics B》2021年第2期457-461,共5页Tao Fang Ling-Qi Li Guang-Rui Xia Hong-Yu Yu 
With technology computer-aided design(TCAD)simulation software,we design a new structure of gallium oxide on gallium-nitride Schottky barrier diode(SBD).The parameters of gallium oxide are defined as new material para...
关键词：technology computer-aided design(TCAD) gallium oxide(Ga2O3) gallium nitride(GaN) Schottky barrier diode(SBD) 
氧化镓--又一半导体材料
《半导体信息》2021年第1期24-25,共2页
氧化镓的别名是三氧化二镓,氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及...
关键词：半导体材料 氧化物半导体 光电子器件 宽禁带半导体 氧化镓 GA2O3 绝缘层 滤光片 
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