宽禁带半导体材料

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《宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成》专栏发刊词
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期I0001-I0001,共1页
宽禁带半导体的禁带宽度显著高于传统硅基材料,展现出高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率等颠覆性物理特性。随着电力电子系统向高频化、大功率化方向演进,传统的半导体材料因耐压能力有限、高温稳定性不足、高频损耗严重等问题,难...
关键词：电力电子系统 材料 电路 宽禁带半导体 器件 
玻璃基灌封材料助力SiC功率器件在300 ℃长期运行
《电子与封装》2025年第4期84-84,共1页
宽禁带半导体材料优势显著,但随着功率器件小型化、集成化及功率密度提升,热管理面临重大挑战。以环氧塑封料(EMC)和硅凝胶为代表的有机灌封材料将SiC器件结温限制在200℃以内,亟需更优灌封材料来缓解器件绝缘和散热压力,并提升器件可...
关键词：宽禁带半导体材料 热管理 玻璃基灌封材料 
华为入股!天岳先进赴港IPO
《变频器世界》2025年第2期51-51,共1页
港交所2月24日披露,山东天岳先进科技股份有限公司递表港交所,中金公司和中信证券为其联席保荐人。招股书显示,天岳先进是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业,自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。
关键词：中信证券 招股书 保荐人 宽禁带半导体材料 天岳 IPO 领军企业 碳化硅衬底 
“氧化镓晶体与器件”专题——破局第四代半导体的创新实践
《人工晶体学报》2025年第2期I0004-I0005,I0002,I0003,共4页齐红基 贾志泰 张洪良 董鑫 程红娟 周弘 徐光伟 
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为超宽禁带半导体材料的代表,凭借其超宽禁带(4.4~4.9 eV)、高临界击穿场强(8 MV/cm)及优异的Baliga优值(理论值达SiC的10倍、GaN的4倍),被视为突破传统半导体性能极限的关键材料。然而,其产业化进程长期受限于低...
关键词：宽禁带半导体材料 氧化镓 P型掺杂 半导体 国家重点研发计划 创新实践 协同创新 技术壁垒 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第9期I0002-I0003,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料...
关键词：电路与系统 功率半导体 宽禁带半导体材料 战略机遇期 射频器件 快速充电 太赫兹 技术瓶颈 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第8期I0004-I0005,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第7期I0003-I0004,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 原创性研究 专题栏目 太赫兹 GA2O3 射频器件 
封面人物 郝跃
《陕西教育（高教版）》2024年第7期M0001-M0001,共1页
微电子学专家,中国科学院院士,全国教书育人楷模,“全国高校黄大年式教师团队”带头人,西安电子科技大学教授、博士生导师。现任西安电子科技大学学术委员会主任、电子科学与技术学部主任、集成电路学部主任。长期从事新型宽禁带半导体...
关键词：电子科学与技术 中国科学院院士 教书育人 教师团队 半导体器件 学部主任 西安电子科技大学 宽禁带半导体材料 
1200V沟槽型SiC MOSEET器件研制
《固体电子学研究与进展》2024年第3期F0003-F0003,共1页张跃 柏松 李士颜 陈谷然 黄润华 杨勇 
碳作为宽禁带半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)功率器件具有高压,高频、高温,大容量等独特优势,在新能源汽车、光伏逆变、智能电网,雷达通信等领域有着乐观的应用前景。主流SiC MOSFET器件包括平面型和沟槽型,前者受限于较低的沟道迁...
关键词：宽禁带半导体材料 MOSFET器件 导通电阻 迁移率 平面型 功率器件 沟道密度 新能源汽车 
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第6期I0007-I0008,共2页郭宇锋 
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件...
关键词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN 
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