MOSFET器件

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一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法
《现代电子技术》2025年第4期40-44,共5页薛炳君 郭世龙 严焱津 
随着SiC MOSFET器件的广泛应用,其可靠性问题备受关注。键合线失效是SiC MOSFET器件故障的主要原因,因此需要对其进行状态监测以保证器件的正常运行。文中提出一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法。当键合线失效时,...
关键词：SiC MOSFET器件 键合线状态监测 开尔文封装 键合线失效 监测电路 高频脉动电流 
栅极驱动器选得好,SiCMOSFET高效又安全
《变频器世界》2025年第1期62-64,共3页
硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位,这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车(EV)等。然而,市场对更小型化产品的需求,以及设计人员面临的提高电源能效的压力,使得碳化硅(SiC)MOSFET成为这些应用...
关键词：不间断电源 MOSFET器件 栅极驱动电路 栅极驱动器 FET 电力电子应用 电机驱动 
基于多层MoS_(2)材料的MOSFET器件退火效应研究
《今日制造与升级》2025年第1期48-50,共3页韩涛 廖乃镘 孙艳敏 丁劲松 
2023年度重庆市博士后研究项目(2023CQBSHTB3144)。
文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进...
关键词：MoS2材料 MOSFET器件 测试表征 退火效应 电学性能 
电离辐射总剂量效应对SiC MOSFET器件雪崩鲁棒性的影响
《现代应用物理》2024年第6期102-109,共8页梁世维 杨鑫 陈家祺 王俊 
国家自然科学基金资助项目(52207199);湖南省自然科学基金资助项目(2023JJ30141);中央高校基本科研业务费(531118010924)。
试验探索了电离辐射总剂量效应对SiC MOSFET器件雪崩鲁棒性的影响,发现SiC MOSFET器件的雪崩耐量随着电离辐射总剂量的增加而不断减小,当总剂量达到600 krad时,SiC MOSFET器件的雪崩耐量下降了25.21%。此外,还发现SiC MOSFET器件发生电...
关键词：碳化硅 MOSFET 电离辐射总剂量效应 雪崩特性 鲁棒性 可靠性 
基于热量计的SiC MOSFET器件损耗测量
《电气电子教学学报》2024年第6期137-140,共4页伍群芳 王亚强 王勤 邱施瑜 
江苏省自然科学青年基金(BK20210305);2023年江苏省高等教育教改研究课题(2023JSJG441);航空科学基金(2022Z024052003)。
新一代宽禁带半导体器件SiCMOSFET具有导通电阻低、开关速度快、耐高温高压等特性,广泛应用于新能源发电、电动汽车及航空航天等重要领域。SiC器件的损耗分析与测量对于其高效应用具有重要作用。基于热学法,提出了一种基于热量计的SiCMO...
关键词：热量计 器件损耗 碳化硅MOSFET 
双边LCC拓扑磁耦合机构补偿网络参数设计方法
《电气传动》2024年第10期32-38,49,共8页张博雨 张晓丽 冯睿 张照博 蔡思淇 马晓轩 
基于磁耦合谐振式技术原理,采用一种双边LCC拓扑补偿网络参数设计方法。首先对双边LCC拓扑主电路数学模型进行分析,设定线圈自感与串联补偿电感的电感比值。然后通过编写M文件和搭建Simu⁃link仿真平台,根据电感比值与效率之间的关系,找...
关键词：磁耦合谐振 双边LCC拓扑 电感比值 SICMOSFET器件 耦合机构效率 
栅场板型Ga_(2)O_(3)MOSFET器件单粒子烧毁仿真研究
《现代应用物理》2024年第3期120-131,共12页刘涵勋 汪柯佳 曹荣幸 韩丹 王祖军 曾祥华 薛玉雄 
强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室基金资助项目(SKLIPR2115)。
设计了1种抗单粒子烧毁(single event burnout,SEB)效应能力较强的栅场板型结构Ga_(2)O_(3)MOSFET器件,并与平面型结构进行了对比,采用基于计算机辅助设计(technology computer aided design,TCAD)的商用半导体器件仿真模拟软件研究了2...
关键词：Ga_(2)O_(3)金属氧化物半导体场效应晶体管 栅场板 单粒子烧毁 TCAD仿真 
基于LabVIEW的SiC MOSFET器件单粒子效应测试系统
《电子元器件与信息技术》2024年第9期26-29,共4页岑政 向飞 吴兆希 杨蕊亦 叶思楠 王祖正 
重庆市自然科学基金面上项目《用于单粒子试验的高压功率半导体器件在线测试技术研究》(项目编号:CSTB2022NSCQ-MSX1631)。
为达到对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)单粒子效应的实时监测,设计并实现了一个基于虚拟仪器平台的测试系统。选取了一款1200V、80mΩ、TO-247塑料封装的SiC MOSFET器件作为测试对象,通过LabVIEW软件对电源与示波器...
关键词：SiCMOSFET 单粒子效应 虚拟仪器 状态机 
N型MOSFET器件总剂量效应通用测试系统设计
《核电子学与探测技术》2024年第4期622-630,共9页郭荣 梁润成 李国栋 郑智睿 孙丹 韩毅 郝焕锋 陈法国 闫学文 
山西省基础研究计划项目(202203021222407);山西省应用基础研究计划(20210302124486)。
抗辐照电机驱动器研发需要准确获取电桥电路金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)器件的总剂量效应失效阈值,电流-电压、电容-电压等离线测试方法,无法真实反映器件开关性能随累...
关键词：N型MOSFET 总剂量效应 失效阈值 测试系统 
SiC MOSFET器件栅氧可靠性研究综述被引量：1
《电源学报》2024年第4期1-11,共11页胡嘉豪 王英伦 代豪豪 邓小川 张波 
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor)因具有高压、高频、低导通损耗等优异特性而获得产业界广泛关注,但相比于硅基IGBT,SiC/SiO_(2)栅氧界面高缺陷密度...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 栅氧可靠性 评估方法 极端工况 
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