基于LabVIEW的SiC MOSFET器件单粒子效应测试系统  

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作  者:岑政 向飞[1] 吴兆希 杨蕊亦 叶思楠 王祖正 

机构地区:[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出  处:《电子元器件与信息技术》2024年第9期26-29,共4页Electronic Component and Information Technology

基  金:重庆市自然科学基金面上项目《用于单粒子试验的高压功率半导体器件在线测试技术研究》(项目编号:CSTB2022NSCQ-MSX1631)。

摘  要:为达到对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)单粒子效应的实时监测,设计并实现了一个基于虚拟仪器平台的测试系统。选取了一款1200V、80mΩ、TO-247塑料封装的SiC MOSFET器件作为测试对象,通过LabVIEW软件对电源与示波器进行自动控制并实时采集与显示。试验结果表明,该测试系统能够准确执行测试要求,完成数据的自动采集、判读和存储。为抗辐照SiC MOSFET加固设计提供支撑平台。

关 键 词:SiCMOSFET 单粒子效应 虚拟仪器 状态机 

分 类 号:TN386[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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引证文献:

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