单粒子效应

作品数：635被引量：1168H指数：14
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非对称沟槽SiC MOSFET单粒子栅穿机理研究
《原子能科学技术》2025年第4期957-965,共9页王立昊 董涛 方星宇 戚晓伟 王亮 陈淼 张兴 赵元富 
新型航天器对千伏级抗辐照SiC器件有迫切需求,为了给SiC MOSFET抗单粒子栅穿加固设计提供理论依据,对1 200 V非对称沟槽SiC MOSFET开展了单粒子栅穿效应研究。试验结果表明,在200 V、300 V的漏极偏置电压下进行辐照,辐照期间和辐照后器...
关键词：碳化硅 MOSFET 单粒子效应 单粒子栅穿 辐照效应 
台面终端氧化镓肖特基二极管单粒子效应研究
《人工晶体学报》2025年第3期511-516,I0003,共7页贺松 刘金杨 郝伟兵 徐光伟 龙世兵 
超宽禁带氧化镓半导体材料具有高临界场强、位移阈能等优势,在太空等高压强辐照应用环境下具有良好的应用前景。然而,由于材料较低的热导率和空穴迁移率,高能粒子辐照容易导致器件在远低于额定电压下发生单粒子烧毁(SEB)。因此,本文提...
关键词：氧化镓 肖特基二极管 台面终端 辐照 单粒子效应 
基于单粒子效应的SRAM在线检错电路设计与实现
《电子设计工程》2025年第4期25-29,35,共6页白创 周伟 
国家自然科学基金(61604020);湖南省教育厅科研项目-优秀青年项目(22B0287)。
针对单粒子效应引起的航天器SRAM数据错误问题,提出一种基于错误检查纠正(ECC)与完整性检测器相结合的系统级SRAM在线检测错误电路。ECC采用(39,32)汉明码设计,实现数据被访问时自动纠正易发性的单比特错误。完整性检测器基于哈希算法...
关键词：单粒子效应 SRAM 系统级 在线检测错误 
28 nm体硅工艺FPGA BRAM脉冲激光试验及翻转特性
《空间科学学报》2024年第6期1147-1154,共8页薛国凤 周昌义 安军社 吴昊 王天文 
国家重点研发计划项目资助(2022YFF0503900)。
针对SRAM型FPGA内部BRAM在轨出现翻转错误以及如何有效进行容错设计的问题,提出了测试BRAM空间单粒子效应和多位翻转图样的方法.多位翻转图样可以表征单次单粒子事件导致的BRAM中相邻单元的翻转特征,进而用于分析逻辑字内是否存在多位翻...
关键词：单粒子效应 脉冲激光 多单元翻转(MCU) BRAM翻转图样 单粒子翻转容错 
集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
《原子能科学技术》2024年第S02期512-526,共15页李博 王磊 刘凡宇 陈思远 陆江 舒磊 
国家重点研发计划(2022YFB4401700);国家自然科学基金(U22B2043,62374184)。
随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固...
关键词：工艺加固 总剂量效应 单粒子效应 集成电路 功率器件 
芯片化继电保护装置中SoC配置存储器失效评估被引量：1
《核电子学与探测技术》2024年第6期1015-1025,共11页余昊 周华良 苏战涛 邹志杨 赵倩昀 杨卫涛 贺朝会 
国电南瑞科技股份有限公司科技项目(SGNRGF00XAJS2301697);陕西省自然科学基础研究计划(2023-JC-QN-0015)资助。
随着先进工艺SoC在继电保护领域越来越受重视,一些此前在该领域中未曾考虑过的问题亦引起研究人员的注意,如环境中高能粒子入射或者芯片封装中α粒子发射导致的先进工艺SoC单粒子效应问题。相较于传统继电保护系统,具有更高集成度、更...
关键词：片上系统 继电保护 单粒子效应 配置存储器 故障注入 失效模式与效应分析 
美国抗辐射加固产业前沿技术专利发展动态
《中国科技信息》2024年第22期31-33,共3页王会静 陈晓菲 苏然 高安娜 
太空存在的射线是影响在轨航天器可靠性的主要因素之一,单粒子效应、位移损伤效应、总剂量效应等都会给航天器电子器件造成破坏。美国早在20世纪50年代末、60年代初即开展了电子器件和设备的抗辐射加固,并在政府推动下,持续投入大量的...
关键词：抗辐射加固 创新主体 研发经费 专利保护 总剂量效应 技术创新 单粒子效应 前沿技术 
分析抗辐射高压集成电路技术现状与发展
《内江科技》2024年第10期140-141,共2页晁芬 
针对高压集成电路展开有效研究,结合航天事业发展趋势,对高压集成电路实施抗辐射处理,改善高压集成电路运行使用过程中出现的辐射协同效应,维持高压集成电路性能稳定性和功能效果。研究总剂量效应以及单粒子效应在高压集成电路中辐射表...
关键词：总剂量效应 抗辐射 单粒子效应 性能稳定性 协同效应 功能效果 加固技术 发展趋势 
重离子源类别对SiC MOSFET单粒子效应的影响
《航天器环境工程》2024年第5期625-632,共8页郝晓斌 贾云鹏 周新田 胡冬青 吴郁 唐蕴 赵元富 
国家自然科学基金项目(编号:62204011)。
SiC金属−氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为第三代航天器用半导体器件,在应用前须经过抗单粒子效应试验评估。文章探究重离子加速器恒定式和脉冲式束流源这两种不同类别的辐照源对SiC MOSFET单粒子效应的影响。试验结果表明两种束...
关键词：SiC金属−氧化物半导体场效应晶体管 功率器件 单粒子效应 重离子加速器 仿真研究 试验研究 
不同能量质子辐照CMOS图像传感器的单粒子瞬态效应研究
《现代应用物理》2024年第3期112-119,共8页李钰 文林 郭旗 
中科院西部之光计划资助项目(2020-XBQNXZ-004)。
针对空间环境宽能谱质子辐射导致的CMOS图像传感器单粒子效应问题,开展了不同能量质子辐照试验,研究了质子辐照导致CMOS图像传感器单粒子效应的异常现象、图像特征及参数性能变化规律。试验表明,质子辐照主要导致CMOS图像传感器出现明...
关键词：质子辐照 空间环境 CMOS图像传感器 单粒子效应 瞬态效应 
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