分析抗辐射高压集成电路技术现状与发展  

作　　者：晁芬 

机构地区：[1]江苏省新沂中等专业学校

出　　处：《内江科技》2024年第10期140-141,共2页

摘　　要：针对高压集成电路展开有效研究,结合航天事业发展趋势,对高压集成电路实施抗辐射处理,改善高压集成电路运行使用过程中出现的辐射协同效应,维持高压集成电路性能稳定性和功能效果。研究总剂量效应以及单粒子效应在高压集成电路中辐射表现,了解相关高压集成电路辐射的机理和相关加固技术,为抗辐射高压集成电路今后发展提供一定技术支持。

关 键 词：总剂量效应 抗辐射 单粒子效应 性能稳定性 协同效应 功能效果 加固技术 发展趋势 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]