总剂量效应

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BCD工艺栅极驱动器总剂量效应
《强激光与粒子束》2025年第5期86-93,共8页许世萍 崔江维 郑齐文 刘刚 邢康伟 李小龙 施炜雷 王信 李豫东 郭旗 
新疆维吾尔自治区重点研发计划项目(2023B01008);国家重点研发计划项目(2021YFB2401602);国家自然科学基金项目(12275352);新疆维吾尔自治区自然科学基金项目(2022D01E92);中国科学院青年创新促进会项目。
针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升...
关键词：BCD工艺 栅极驱动器 总剂量效应 环栅加固器件 
双沟槽SiC MOSFET总剂量效应
《物理学报》2025年第5期147-155,共9页朱文璐 郭红霞 李洋帆 马武英 张凤祁 白如雪 钟向丽 李济芳 曹彦辉 琚安安 
国家自然科学基金(批准号:12275230,12027813)资助的课题.
本文对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管开展了不同栅极偏置电压下的60Co-γ辐照实验,并在辐照后进行了室温退火实验.实验结果表明,辐照后器件的阈值电压负向漂移,且在正向栅极偏压下电学性能退化尤为明显.通过分析器件的1/f噪声特性发...
关键词：双沟槽 碳化硅 低频噪声 总剂量效应 
碳纳米管场效应晶体管的X射线辐照效应
《物理学报》2025年第5期267-274,共8页曾天祥 李济芳 郭红霞 马武英 雷志锋 钟向丽 张鸿 王颂文 
国家自然科学基金(批准号:12275230,12027813)资助的课题.
本文针对N型和P型碳纳米管场效应晶体管(carbon nanotube field-effect transistor,CNTFET)开展了10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,不同类型的晶体管在辐照后均出现阈值电压漂移、跨导下降、亚阈值摆幅上升和饱和电流下降的现象...
关键词：碳纳米管场效应晶体管 X 射线辐照 总剂量效应 
针对总剂量效应4H-SiC功率器件的加固设计方法
《电子技术应用》2025年第2期29-35,共7页王金龙 孙锴 
国家自然科学基金面上项目(62374173)。
介绍了总剂量效应对4H-SiC功率器件的影响以及对应的加固方案。首先介绍了4H-SiC功率器件的电气特性以及工作时面临的辐照环境。接着根据辐射对器件特性的影响,识别辐射缺陷,并建立了退化机制。然后,分析了单极性器件和双极性器件的辐...
关键词：4H-SiC器件 总剂量效应 电路加固 
FinFET器件总剂量效应及加固研究进展
《环境技术》2025年第1期50-57,共8页田常湘 丁雪萍 刘宇 粟嘉伟 张喆垚 林雪梅 
随着FinFET器件在航空航天、核能及军事等高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量辐射效应(Total Ionizing Dose,TID)下的性能可靠性成为重要研究课题。本文阐述了FinFET器件的基本原理及其在TID效应下的性能影响,讨论了关于FinFET TID效应...
关键词：FinFET器件 总剂量辐射效应 模拟模型工具 加固方法 
质子累积辐照效应对CMOS图像传感器饱和输出的影响
《物理学报》2025年第2期137-148,共12页彭治钢 白豪杰 刘方 李洋 何欢 李培 贺朝会 李永宏 
国家自然科学基金(批准号:12005159)资助的课题.
本文通过辐照实验和TCAD仿真,研究了质子累积辐照导致四晶体管钳位光电二极管(4T PPD)CMOS图像传感器的饱和输出变化机理.实验采用的质子能量为12 MeV和60 MeV,最高质子注量为2×10^(12)cm^(-2).实验结果表明:12 MeV和60 MeV质子最高注...
关键词：CMOS图像传感器 总剂量效应 饱和输出 满阱容量 转换增益 
电离辐射总剂量效应对SiC MOSFET器件雪崩鲁棒性的影响
《现代应用物理》2024年第6期102-109,共8页梁世维 杨鑫 陈家祺 王俊 
国家自然科学基金资助项目(52207199);湖南省自然科学基金资助项目(2023JJ30141);中央高校基本科研业务费(531118010924)。
试验探索了电离辐射总剂量效应对SiC MOSFET器件雪崩鲁棒性的影响,发现SiC MOSFET器件的雪崩耐量随着电离辐射总剂量的增加而不断减小,当总剂量达到600 krad时,SiC MOSFET器件的雪崩耐量下降了25.21%。此外,还发现SiC MOSFET器件发生电...
关键词：碳化硅 MOSFET 电离辐射总剂量效应 雪崩特性 鲁棒性 可靠性 
集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
《原子能科学技术》2024年第S02期512-526,共15页李博 王磊 刘凡宇 陈思远 陆江 舒磊 
国家重点研发计划(2022YFB4401700);国家自然科学基金(U22B2043,62374184)。
随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固...
关键词：工艺加固 总剂量效应 单粒子效应 集成电路 功率器件 
沟槽型MOSFET放大器γ射线辐照效应研究
《核技术》2024年第11期73-80,共8页唐军 农淑英 罗玉文 张巍 杨廷贵 
中核集团"青年英才"项目和甘肃省青年科技基金(No.23JRRA1359)资助。
研发高抗辐照性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)放大器等电子器件对于核环境作业机器人至关重要。用^(60)Co-γ射线对三个商用沟槽型MOSFET放大器进行了原位辐照测试,研...
关键词：MOSFET放大器 Γ辐照 总剂量效应 电学性能 失效分析 
美国抗辐射加固产业前沿技术专利发展动态
《中国科技信息》2024年第22期31-33,共3页王会静 陈晓菲 苏然 高安娜 
太空存在的射线是影响在轨航天器可靠性的主要因素之一,单粒子效应、位移损伤效应、总剂量效应等都会给航天器电子器件造成破坏。美国早在20世纪50年代末、60年代初即开展了电子器件和设备的抗辐射加固,并在政府推动下,持续投入大量的...
关键词：抗辐射加固 创新主体 研发经费 专利保护 总剂量效应 技术创新 单粒子效应 前沿技术 
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